弱酸性硬化フォトレジストストリッパー

a) 広域スペクトルのフォトレジスト除去能力

• ポジ型フォトレジストとネガ型フォトレジストの両方に適用可能‌: アッシング、硬化、炭化後の頑固な残留物の処理に関する特別な専門知識を示します。

b) 弱酸性処方

• pH値‌: 3〜5の範囲で、Al、Cu、Tiなどの金属層やGaAsなどの化合物半導体の腐食を回避します。

c) 環境に優しく安全

• ハロゲンフリーおよびフッ素フリー‌: RoHS や REACH などの環境規制に準拠しています。

• 低揮発性および低VOC‌: 無毒かつ不燃性で、職場の危険を軽減し、オペレーターの健康を守ります。

d) プロセス効率

• 幅広い温度適用性 (25°C ～ 90°C): MEMS/アドバンストパッケージングでは低温安定、EUV では高温耐性。

• 効率的な浸透‌: 高度に架橋されたフォトレジスト (SU-8 など) および炭化したネガ型フォトレジストに対して優れた溶解性を示します。

• プロセスの簡素化: 単一の製品でデュアルフォトレジスト互換性があり、生産ラインの切り替え時間を短縮し、相互汚染を回避し、機器の寿命を延ばします。

a) シリコンベースのチップ‌

Si/SiO₂/SiN と互換性があり、Cu/Al 相互接続層を保護します。

b) GaAs/GaN デバイス‌

穏やかな酸配合により、Au/Ti 電極の腐食を防ぎます。

c) パワー半導体‌

SiC 高温で炭化したフォトレジストを効率的に除去し、Al 層を保護します。

d) 高度なパッケージング‌

TSV残留物とPIパッシベーション層を同時に洗浄します。

e) MEMSセンサー‌

Auパッドを腐食させることなく、深いシリコンエッチング残留物を除去します。

f) フレキシブルエレクトロニクス‌

ナノ銀ワイヤーを損傷することなく、PI/PET 基板と互換性があります。

a) 適用可能な洗浄方法

• 推奨‌: ホットソーキング

• 他の方法には、超音波、スプレー、およびブラッシングが含まれます。

b) 温度と時間

• 温度範囲‌: 25°C – 90°C (加熱すると洗浄が促進されます)。

• 標準洗浄‌: タンクあたり 3 ～ 15 分 (原液を使用)。

• 頑固な残留物‌: 最大 30 分まで延長できます。

c) 主な操作説明書

• 原液を使用します‌: 希釈する必要はありません。

• 設定温度を維持します‌: ウェーハを剥離液に浸漬した後。

• フォトレジストの厚さ/炭化度に基づいて時間を調整します‌。