| Saatavuus: | |
|---|---|
| Määrä: | |
8299
8299 Mild Acid Hardened Photoresist Stripper on mieto happo ja ympäristöystävällinen fotoresistin kuorintaliuos, ja se on erityisesti suunniteltu käsittelemään negatiivisen fotoresistin jäämiä tai , hiiltymisen jälkeen jopa tuhkakovettumisen . Sen ainutlaatuinen koostumus, jossa yhdistyvät orgaaniset hapot, tehokkaat korroosionestoaineet ja vähän haihtuvia liuottimia, varmistaa tehokkaan fotoresistin poiston miedoissa olosuhteissa ja suojaa samalla turvallisesti erilaisia materiaaleja ja substraatteja.
a) Laajaspektrin fotoresistin poistoominaisuus
Soveltuu sekä positiivisille että negatiivisille fotoresisteille: Osoittaa erityistä asiantuntemusta pinttyneiden jäämien käsittelyssä tuhkauksen, kovetuksen ja hiiltymisen jälkeen.
b) Mieto happokaava
pH-arvo: Vaihtelee välillä 3-5, välttäen korroosiota metallikerroksiin, kuten Al, Cu, Ti ja yhdistepuolijohteisiin, kuten GaAs.
c) Ympäristöystävällinen ja turvallinen
Halogeeniton ja fluoriton: Täyttää ympäristömääräyksiä, kuten RoHS ja REACH.
Alhainen haihtuvuus ja alhainen VOC: Myrkytön ja syttymätön, vähentää työpaikan vaaroja ja turvaa käyttäjän terveyden.
d) Prosessin tehokkuus
Soveltuvuus laajaan lämpötilaan (25°C–90°C): Matalissa lämpötiloissa vakaa MEMS/edistyneelle pakkaukselle, korkean lämpötilan kestävä EUV:lle.
Tehokas tunkeutuminen: Sillä on erinomainen liukoisuus erittäin silloitettuihin fotoresisteihin (esim. SU-8) ja karbonoituihin negatiivisiin fotoresisteihin.
Yksinkertaistettu prosessi: Yksittäinen tuote, joka pystyy yhteensopimaan kahden fotoresistin kanssa, lyhentää tuotantolinjan vaihtoaikaa, välttää ristikontaminaation ja pidentää laitteiden käyttöikää.
| Ominaisuus |
Perinteinen strippari |
8299 |
| Materiaaliturvallisuus |
Saattaa syövyttää metalleja (Cu/Al) | Turvallinen kaikille tärkeimmille materiaaleille |
| Photoresist Rang | Rajoitettu 1 tyyppiin (+/–) | Käsittelee kaikkia tyyppejä + hiiltynyt |
| Ympäristöystävällinen | Usein korkea VOC/halogeeni | Halogeeniton, alhainen VOC |
| Prosessin kustannukset | Tarvitaan useita tuotteita | Yksi ratkaisu kaikille |
| Laitteiden yhteensopivuus | Saattaa heikentää säiliöitä | Ei syövyttävä |
| Käyttölämpötila | 40-80°C | 25-90°C |
| Ominaisuudet | Yksikkö | Data |
| pH-arvo |
- | 3-5 |
| Ominaispaino | - | 0,95-1 |
| Kiehumispiste | °C | 190 |
a) Piipohjaiset sirut
Yhteensopiva Si/SiO₂/SiN:n kanssa, suojaavat Cu/Al-liitäntäkerroksia.
b) GaAs/GaN-laitteet
Mieto happokoostumus estää Au/Ti-elektrodien korroosiota.
c) Tehopuolijohteet
Poistaa tehokkaasti piikarbidin korkean lämpötilan hiiltyneen fotoresistin ja suojaa Al-kerroksia.
d) Advanced Packaging
Puhdistaa samanaikaisesti TSV-jäämät ja PI-passivointikerrokset.
e) MEMS-anturit
Poistaa syvät piietsausjäämät syövyttämättä Au-tyynyjä.
f) Joustava elektroniikka
Yhteensopiva PI/PET-substraattien kanssa vahingoittamatta nano-hopealankoja.
a) Sovellettavat puhdistusmenetelmät
Suositus: Kuumaliotus
Muita menetelmiä ovat ultraääni, ruiskutus ja harjaus.
b) Lämpötila ja aika
Lämpötila-alue: 25°C – 90°C (kuumennus nopeuttaa puhdistusta).
Vakiopuhdistus: 3–15 minuuttia säiliötä kohti (puhdas liuos).
Itsepäinen jäännös: Voidaan pidentää jopa 30 minuuttiin.
c) Tärkeimmät käyttöohjeet
Käytä puhdasta liuosta: Laimentamista ei tarvita.
Säilytä asetettu lämpötila: Kun kiekot on upotettu strippausliuokseen.
Säädä aikaa fotoresistin paksuuden/hiiltymisasteen perusteella.
sisältö on tyhjä!