Mild syrehærdet fotoresiststripper

a) Mulighed for fjernelse af bredspektret fotoresist

• Gælder for både positive og negative fotoresister‌: Demonstrerer særlig ekspertise i håndtering af genstridige rester efter foraskning, hærdning og forkulning.

b) Mild syreformel

• pH-værdi‌: Ligger mellem 3-5 og undgår korrosion på metallag som Al, Cu, Ti og sammensatte halvledere som GaAs.

c) Miljøvenlig og sikker

• Halogenfri og Fluorfri‌: Overholder miljøbestemmelser som RoHS og REACH.

• Lav flygtighed og lav VOC‌: Ikke-giftig og ikke-brændbar, hvilket reducerer farer på arbejdspladsen og beskytter operatørens sundhed.

d) Proceseffektivitet

• Anvendelse ved bred temperatur (25°C–90°C): Lavtemperaturstabil til MEMS/avanceret emballage, højtemperaturbestandig til EUV.

• Effektiv penetration‌: Udviser fremragende opløselighed til stærkt tværbundne fotoresists (f.eks. SU-8) og karboniserede negative fotoresister.

• Forenklet proces‌: Et enkelt produkt, der er i stand til dobbelt fotoresist-kompatibilitet, hvilket reducerer produktionslinjeskiftetiden, undgår krydskontaminering og forlænger udstyrets levetid.

a) Siliciumbaserede chips‌

Kompatibel med Si/SiO₂/SiN, beskytter Cu/Al-forbindelseslag.

b) GaAs/GaN-enheder‌

Mild syreformel forhindrer korrosion af Au/Ti-elektroder.

c) Power Semiconductors‌

Fjerner effektivt SiC højtemperatur karboniseret fotoresist og beskytter Al-lag.

d) Avanceret emballage‌

Renser samtidig TSV-rester og PI-passiveringslag.

e) MEMS-sensorer‌

Fjerner dybe siliciumætserester uden at korrodere Au-puder.

f) Fleksibel elektronik‌

Kompatibel med PI/PET-substrater uden at beskadige nano-sølv ledninger.

a) Anvendelige rengøringsmetoder

• Anbefalet: Varm iblødsætning

• Andre metoder omfatter ultralyd, sprøjtning og børstning.

b) Temperatur og tid

• Temperaturområde‌: 25°C – 90°C (opvarmning fremskynder rengøringen).

• Standardrengøring‌: 3 – 15 minutter pr. tank (ved brug af ren opløsning).

• Genstridig rest‌: Kan forlænges op til 30 minutter.

c) Nøglebrugsanvisninger

• Brug pæn opløsning‌: Ingen fortynding nødvendig.

• Oprethold indstillet temperatur‌: Efter nedsænkning af wafers i strippeopløsningen.

• Juster tid baseret på fotoresisttykkelse/karboniseringsgrad‌.