Pelucut Fotoresist Asid Ringan Mengeras

a) Keupayaan Penyingkiran fotoresist Spektrum Luas

• Berkenaan dengan Photoresists Positif dan Negatif‌: Menunjukkan kepakaran tertentu dalam mengendalikan sisa degil selepas pengabuan, pengawetan dan pengkarbonan.

b) Formula Asid Ringan

• Nilai pH‌: Berjulat antara 3-5, mengelakkan kakisan pada lapisan logam seperti Al, Cu, Ti dan semikonduktor sebatian seperti GaAs.

c) Mesra Alam dan Selamat

• Bebas Halogen dan Bebas Fluorin: Mematuhi peraturan alam sekitar seperti RoHS dan REACH.

• Kemeruapan Rendah dan VOC Rendah: Tidak toksik dan tidak mudah terbakar, mengurangkan bahaya tempat kerja dan menjaga kesihatan pengendali.

d) Kecekapan Proses

• Kebolehgunaan suhu lebar (25°C–90°C): Stabil suhu rendah untuk MEMS/pembungkusan lanjutan, tahan suhu tinggi untuk EUV.

• Penembusan Cekap‌: Menunjukkan keterlarutan yang sangat baik untuk fotoresis berpaut silang (cth, SU-8) dan fotoresis negatif berkarbonisasi.

• Proses Dipermudahkan: Satu produk yang mampu keserasian dwi fotoresist, mengurangkan masa penukaran barisan pengeluaran, mengelakkan pencemaran silang dan memanjangkan jangka hayat peralatan.

a) Cip Berasaskan Silikon‌

Serasi dengan Si/SiO₂/SiN, melindungi lapisan saling sambungan Cu/Al.

b) Peranti GaAs/GaN‌

Formula asid lembut menghalang kakisan elektrod Au/Ti.

c) Semikonduktor Kuasa‌

Mengeluarkan fotoresist berkarbonat suhu tinggi SiC dengan cekap, melindungi lapisan Al.

d) Pembungkusan Termaju‌

Pada masa yang sama membersihkan sisa TSV dan lapisan pempasifan PI.

e) Sensor MEMS‌

Menanggalkan sisa goresan silikon dalam tanpa menghakis pad Au.

f) Elektronik Fleksibel‌

Serasi dengan substrat PI/PET tanpa merosakkan wayar nano-perak.

a) Kaedah Pembersihan yang Berlaku

• Disyorkan‌: Rendaman panas

• Kaedah lain termasuk ultrasonik, semburan, dan memberus.

b) Suhu dan Masa

• Julat Suhu‌: 25°C – 90°C (pemanasan mempercepatkan pembersihan).

• Pembersihan Standard‌: 3 – 15 minit setiap tangki (menggunakan larutan yang kemas).

• Sisa Degil‌: Boleh dilanjutkan sehingga 30 minit.

c) Arahan Operasi Utama

• Gunakan Penyelesaian Kemas‌: Tiada pencairan diperlukan.

• Kekalkan Suhu Tetap: Selepas merendam wafer dalam larutan pelucutan.

• Laraskan Masa Berdasarkan Ijazah Ketebalan/Pengkarbonan fotoresist‌.