Mild Acid Hardened Photoresist Stripper

က) ကျယ်ပြန့်သော ရောင်စဉ် အလင်းပြန်ဓါတ်အား ဖယ်ရှားခြင်း စွမ်းရည်

• အပြုသဘောဆောင်သော နှင့် အနုတ်လက္ခဏာဓါတ်ပုံရိုက်ခြင်းနှစ်မျိုးလုံးအတွက် အသုံးပြုနိုင်သည်- ပြာချခြင်း၊ ကုသခြင်းနှင့် ကာဗွန်ထုတ်ခြင်းပြီးနောက် ခိုင်မာသောအကြွင်းအကျန်များကို ကိုင်တွယ်ရာတွင် အထူးကျွမ်းကျင်မှုကို ပြသသည်။

ခ) အပျော့စား အက်ဆစ်ဖော်မြူလာ

• pH တန်ဖိုး- 3-5 အကြား အတိုင်းအတာသည် Al၊ Cu၊ Ti နှင့် GaAs ကဲ့သို့သော ဒြပ်စင်များကဲ့သို့သော သတ္တုအလွှာများသို့ သွားချေးခြင်းကို ရှောင်ရှားသည်။

ဂ) သဘာဝပတ်ဝန်းကျင်နှင့် သဟဇာတဖြစ်မှုနှင့် ဘေးကင်းသည်။

• Halogen-Free နှင့် Fluorine-Free − RoHS နှင့် REACH ကဲ့သို့သော ပတ်ဝန်းကျင်ဆိုင်ရာ စည်းမျဉ်းများနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။

• Low Volatility နှင့် Low VOC − အဆိပ်အတောက်ကင်းပြီး မီးလောင်လွယ်သော အလုပ်ခွင်အန္တရာယ်များကို လျှော့ချပေးပြီး အော်ပရေတာကျန်းမာရေးကို အကာအကွယ်ပေးသည်။

ဃ) လုပ်ငန်းစဉ် ထိရောက်မှု

• ကျယ်ပြန့်သောအပူချိန် အသုံးချနိုင်မှု (25°C–90°C)- MEMS/အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုများအတွက် အပူချိန်နိမ့်၊ EUV အတွက် အပူချိန်မြင့်သည်။

• ထိရောက်စွာ ထိုးဖောက်ခြင်း- အလွန်ချိတ်ဆက်ထားသော ချိတ်ဆက်ထားသော ဓာတ်ပုံresists (ဥပမာ၊ SU-8) နှင့် ကာဗွန်နိတ်အနုတ်ဓါတ်ပြုခြင်းအတွက် အလွန်ကောင်းမွန်သော ပျော်ဝင်မှုကို ပြသသည်။

• ရိုးရှင်းသော လုပ်ငန်းစဉ်- ဓါတ်ပုံရိုက်မှုနှစ်ခု လိုက်ဖက်ညီမှုရှိသော ထုတ်ကုန်တစ်ခု၊ ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းပြောင်းချိန်ကို လျှော့ချခြင်း၊ ညစ်ညမ်းမှုကို ရှောင်ရှားခြင်းနှင့် စက်ပစ္စည်းများ၏ သက်တမ်းကို တိုးမြှင့်ပေးခြင်း။

က) ဆီလီကွန်အခြေခံချစ်ပ်များ

Cu/Al အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်မှုအလွှာများကိုကာကွယ်ပေးသည့် Si/SiO₂/SiN နှင့် တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်သည်။

ခ) GaAs/GaN ကိရိယာများ

အပျော့စား အက်ဆစ်ဖော်မြူလာသည် Au/Ti လျှပ်ကူးပစ္စည်းများ၏ သံချေးတက်ခြင်းကို ကာကွယ်ပေးသည်။

ဂ) ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း

အယ်လ်အလွှာများကို ကာကွယ်ပေးသော SiC မြင့်မားသော အပူချိန် ကာဗွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် ဓါတ်ပုံရိုက်နည်းကို ထိရောက်စွာ ဖယ်ရှားပေးပါသည်။

ဃ) အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှု

TSV အကြွင်းအကျန်များနှင့် PI passivation အလွှာများကို တစ်ပြိုင်နက် သန့်စင်စေသည်။

င) MEMS အာရုံခံကိရိယာများ

Au pads များကို မပျက်စီးစေဘဲ နက်နဲသော ဆီလီကွန် အက်ဆစ်အကြွင်းအကျန်များကို ဖယ်ရှားပေးသည်။

f) ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ် အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ

နာနိုငွေဝါယာကြိုးများကို မထိခိုက်စေဘဲ PI/PET အလွှာများနှင့် တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်သည်။

က) အသုံးပြုနိုင်သော သန့်ရှင်းရေးနည်းလမ်းများ

• အကြံပြုထားသည်- ရေနွေးစိမ်ပါ။

• အခြားနည်းလမ်းများ မှာ ultrasonic ဖြန်းခြင်း၊ ဖြန်းခြင်းနှင့် ဖြန်းပေးခြင်း တို့ ပါဝင်သည်။

b) အပူချိန်နှင့်အချိန်

• အပူချိန်အတိုင်းအတာ : 25°C – 90°C (အပူပေးခြင်းသည် သန့်ရှင်းရေးကို အရှိန်မြှင့်ပေးသည်)။

• ပုံမှန်သန့်စင်ခြင်း- တစ်ကန်လျှင် ၃ မိနစ်မှ ၁၅ မိနစ် (သပ်ရပ်သောဖြေရှင်းချက်သုံး၍)။

• အကြွင်းအကျန် - မိနစ် 30 အထိ သက်တမ်းတိုးနိုင်သည်။

ဂ) သော့လည်ပတ်မှုညွှန်ကြားချက်များ

• သပ်ရပ်သောဖြေရှင်းချက်ကိုသုံးပါ- ဖျော်ရည်မလိုအပ်ပါ။

• သတ်မှတ်အပူချိန်ကို ထိန်းသိမ်းပါ- ဆပ်ပြာရည်ထဲတွင် wafer များကို နှစ်မြှုပ်ပြီးနောက်။

• Photoresist Thickness/Carbonization Degree ကို အခြေခံ၍ အချိန်ကို ချိန်ညှိပါ။