Թեթև թթվային կարծրացած ֆոտոռեզիստ մերկացնող սարք

ա) Լայն սպեկտրի ֆոտոռեզիստի հեռացման հնարավորություն

• Կիրառելի է և՛ դրական, և՛ բացասական ֆոտոռեզիստների համար. Ցույց է տալիս հատուկ փորձ՝ մոխրի, կարծրացման և կարբոնացումից հետո համառ մնացորդների հետ վարվելու հարցում:

բ) Մեղմ թթվային բանաձև

• pH արժեքը‌. տատանվում է 3-5 միջակայքում՝ խուսափելով մետաղական շերտերի կոռոզիայից, ինչպիսիք են Al, ​​Cu, Ti և բարդ կիսահաղորդիչներ, ինչպիսիք են GaAs-ը:

գ) Էկոլոգիապես բարեկամական և անվտանգ

• Առանց հալոգեն և ֆտոր. Համապատասխանում է բնապահպանական կանոնակարգերին, ինչպիսիք են RoHS-ը և REACH-ը:

• Ցածր անկայունություն և ցածր VOC‌. Ոչ թունավոր և ոչ դյուրավառ, նվազեցնելով աշխատավայրի վտանգները և պաշտպանելով օպերատորի առողջությունը:

դ) Գործընթացի արդյունավետությունը

• Լայն ջերմաստիճանում կիրառելիություն (25°C–90°C). Ցածր ջերմաստիճանում կայուն է MEMS/առաջադեմ փաթեթավորման համար, բարձր ջերմաստիճանի դիմացկուն EUV-ի համար:

• Արդյունավետ ներթափանցում‌. ցուցադրում է գերազանց լուծելիություն բարձր խաչաձեւ կապակցված ֆոտոռեզիստների (օրինակ՝ SU-8) և գազավորված բացասական ֆոտոռեզիստների համար:

• Պարզեցված գործընթաց‌. մեկ արտադրանք, որն ունակ է կրկնակի ֆոտոդիմացկուն համատեղելիության, նվազեցնելով արտադրական գծի միացման ժամանակը, խուսափելով խաչաձև աղտոտումից և երկարացնելով սարքավորումների կյանքը:

ա) Սիլիցիումի վրա հիմնված չիպսեր

Համատեղելի է Si/SiO2/SiN-ի հետ՝ պաշտպանելով Cu/Al փոխկապակցման շերտերը:

բ) GaAs/GaN սարքեր

Մեղմ թթվային բանաձևը կանխում է Au/Ti էլեկտրոդների կոռոզիան:

գ) Էլեկտրաէներգիայի կիսահաղորդիչներ

Արդյունավետորեն հեռացնում է SiC-ի բարձր ջերմաստիճանի կարբոնացված ֆոտոռեզիստը՝ պաշտպանելով Al շերտերը:

դ) Ընդլայնված փաթեթավորում

Միաժամանակ մաքրում է TSV մնացորդը և PI պասիվացման շերտերը:

ե) MEMS սենսորներ

Հեռացնում է խորը սիլիցիումի փորագրման մնացորդները՝ առանց կոռոզիայից Au բարձիկներ:

զ) ճկուն էլեկտրոնիկա

Համատեղելի է PI/PET սուբստրատների հետ՝ չվնասելով նանո-արծաթե լարերը:

ա) Մաքրման կիրառելի մեթոդներ

• Առաջարկվում է՝ տաք թրջում

• Այլ մեթոդները ներառում են ուլտրաձայնային, ցողում և խոզանակով մաքրում:

բ) Ջերմաստիճանը և ժամանակը

• Ջերմաստիճանի միջակայք՝ 25°C – 90°C (ջեռուցումն արագացնում է մաքրումը):

• Ստանդարտ մաքրում‌՝ 3 – 15 րոպե մեկ տանկի համար (կոկիկ լուծույթ օգտագործելով):

• Համառ մնացորդ՝ կարելի է երկարացնել մինչև 30 րոպե:

գ) Հիմնական գործառնական հրահանգներ

• Օգտագործեք կոկիկ լուծույթ՝ նոսրացում չի պահանջվում:

• Պահպանեք սահմանված ջերմաստիճանը․ վաֆլիները մաքրող լուծույթի մեջ ընկղմելուց հետո։

• Կարգավորել ժամանակը` հիմնվելով ֆոտոռեզիստենտի հաստության/կարբոնացման աստիճանի վրա: