Mild syrahärdad fotoresiststripper

a) Förmåga att ta bort fotoresist med brett spektrum

• Gäller både positiva och negativa fotoresister‌: Demonstrerar särskild expertis i att hantera envisa rester efter askning, härdning och förkolning.

b) Mild syraformel

• pH-värde‌: Spänner mellan 3-5, vilket undviker korrosion på metallskikt som Al, Cu, Ti och sammansatta halvledare som GaAs.

c) Miljövänlig och säker

• Halogenfri och fluorfri‌: Uppfyller miljöbestämmelser som RoHS och REACH.

• Låg flyktighet och låg VOC‌: Ej giftig och ej brandfarlig, vilket minskar riskerna på arbetsplatsen och skyddar användarens hälsa.

d) Processeffektivitet

• Tillämpning vid bred temperatur (25°C–90°C): Lågtemperaturstabil för MEMS/avancerad förpackning, högtemperaturbeständig för EUV.

• Effektiv penetration‌: Uppvisar utmärkt löslighet för starkt tvärbundna fotoresister (t.ex. SU-8) och karboniserade negativa fotoresister.

• Förenklad process‌: En enda produkt som kan ha dubbel fotoresistkompatibilitet, vilket minskar produktionslinjens bytestid, undviker korskontaminering och förlänger utrustningens livslängd.

a) Kiselbaserade chips‌

Kompatibel med Si/SiO₂/SiN, skyddar Cu/Al-sammankopplingsskikt.

b) GaAs/GaN-enheter‌

Mild syraformel förhindrar korrosion av Au/Ti-elektroder.

c) Effekthalvledare‌

Tar effektivt bort SiC högtemperaturförkolnad fotoresist och skyddar Al-skikt.

d) Avancerad förpackning‌

Rengör samtidigt TSV-rester och PI-passiveringsskikt.

e) MEMS-sensorer‌

Tar bort djupa silikonetsrester utan att korrodera Au-kuddar.

f) Flexibel elektronik‌

Kompatibel med PI/PET-substrat utan att skada nano-silvertrådar.

a) Tillämpliga rengöringsmetoder

• Rekommenderas: Varmblötläggning

• Andra metoder inkluderar ultraljud, sprutning och borstning.

b) Temperatur och tid

• Temperaturområde‌: 25°C – 90°C (uppvärmning påskyndar rengöringen).

• Standardrengöring‌: 3 – 15 minuter per tank (med ren lösning).

• Envis rest‌: Kan förlängas upp till 30 minuter.

c) Viktiga driftsinstruktioner

• Använd ren lösning‌: Ingen utspädning krävs.

• Bibehåll inställd temperatur‌: Efter nedsänkning av wafers i strippningslösningen.

• Justera tid baserat på fotoresisttjocklek/karboniseringsgrad‌.