| دستیابی: | |
|---|---|
| مقدار: | |
8299
8299 ہلکا تیزاب سخت فوٹو ریزسٹ اسٹرائپر ایک ہلکا تیزاب اور ماحول دوست فوٹو ریزسٹ اسٹرپنگ حل ہے، اور اسے خاص طور پر ایشنگ , کیورنگ ، یا یہاں تک کہ کاربنائزیشن کے بعد منفی فوٹوریزسٹ کے باقیات کے مسائل کو حل کرنے کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے ۔ اس کی منفرد تشکیل، نامیاتی تیزاب، اعلی کارکردگی والے سنکنرن روکنے والے، اور کم اتار چڑھاؤ والے سالوینٹس کا امتزاج، مختلف قسم کے مواد اور ذیلی جگہوں کو محفوظ طریقے سے محفوظ رکھتے ہوئے ہلکے حالات میں فوٹو ریزسٹ کو موثر طریقے سے ہٹانے کو یقینی بناتی ہے۔
a) براڈ اسپیکٹرم فوٹو ریزسٹ ہٹانے کی صلاحیت
مثبت اور منفی دونوں فوٹوریزسٹ پر لاگو: راش کرنے، علاج کرنے اور کاربنائزیشن کے بعد ضدی باقیات کو سنبھالنے میں خاص مہارت کا مظاہرہ کرتا ہے۔
ب) ہلکا تیزاب فارمولا
پی ایچ ویلیو: 3-5 کے درمیان رینج، دھاتی تہوں جیسے کہ Al، Cu، Ti، اور کمپاؤنڈ سیمی کنڈکٹرز جیسے GaAs کو سنکنرن سے بچاتا ہے۔
c) ماحول دوست اور محفوظ
ہالوجن فری اور فلورین فری: ماحولیاتی ضوابط جیسے RoHS اور REACH کی تعمیل کرتا ہے۔
کم اتار چڑھاؤ اور کم VOC–: غیر زہریلا اور غیر آتش گیر، کام کی جگہ کے خطرات کو کم کرنا اور آپریٹر کی صحت کی حفاظت کرنا۔
d) عمل کی کارکردگی
وسیع درجہ حرارت کا اطلاق (25°C–90°C): MEMS/اعلی درجے کی پیکیجنگ کے لیے کم درجہ حرارت مستحکم، EUV کے لیے اعلی درجہ حرارت مزاحم۔
موثر دخول: انتہائی کراس لنکڈ فوٹو ریزٹس (مثال کے طور پر، SU-8) اور کاربنائزڈ منفی فوٹو ریزٹس کے لیے بہترین حل پذیری کی نمائش کرتا ہے۔
آسان عمل: ایک واحد پروڈکٹ جو دوہری فوٹوریزسٹ مطابقت کے قابل ہے، پروڈکشن لائن سوئچنگ کے وقت کو کم کرتا ہے، کراس آلودگی سے بچاتا ہے، اور سامان کی عمر بڑھاتا ہے۔
| فیچر |
روایتی اسٹرائپر |
8299 |
| مواد کی حفاظت |
دھاتوں کو خراب کر سکتا ہے (Cu/Al) | تمام اہم مواد کے لیے محفوظ |
| Photoresist رنگ | 1 قسم تک محدود (+/-) | تمام اقسام کو ہینڈل کرتا ہے + کاربونائزڈ |
| ماحول دوست | اکثر اعلی VOC/ہالوجن | ہالوجن سے پاک، کم VOC |
| عمل کی لاگت | متعدد مصنوعات کی ضرورت ہے۔ | سب کے لیے ایک ہی حل |
| سازوسامان کی مطابقت | ٹینکوں کو خراب کر سکتا ہے۔ | غیر corrosive |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 40–80 °C | 25–90 °C |
| خصوصیات | یونٹ | ڈیٹا |
| پی ایچ ویلیو |
- | 3-5 |
| مخصوص کشش ثقل | - | 0.95-1 |
| بوائلنگ پوائنٹ | °C | 190 |
a) سلکان پر مبنی چپس
Si/SiO₂/SiN کے ساتھ ہم آہنگ، Cu/Al انٹرکنکشن تہوں کی حفاظت کرتا ہے۔
ب) GaAs/GaN ڈیوائسز
ہلکا تیزابی فارمولا Au/Ti الیکٹروڈ کے سنکنرن کو روکتا ہے۔
c) پاور سیمی کنڈکٹرز
ال تہوں کی حفاظت کرتے ہوئے، SiC اعلی درجہ حرارت کاربونائزڈ فوٹورسٹ کو مؤثر طریقے سے ہٹاتا ہے۔
ڈی) اعلی درجے کی پیکیجنگ
ساتھ ہی TSV کی باقیات اور PI گزرنے والی تہوں کو صاف کرتا ہے۔
e) MEMS سینسر
AU پیڈ کو خراب کیے بغیر گہرے سلکان اینچ کی باقیات کو ہٹاتا ہے۔
f) لچکدار الیکٹرانکس
نینو سلور تاروں کو نقصان پہنچائے بغیر PI/PET سبسٹریٹس کے ساتھ ہم آہنگ۔
a) قابل اطلاق صفائی کے طریقے
تجویز کردہ: گرم بھیگنا
دیگر طریقوں میں الٹراسونک، چھڑکاؤ، اور برش شامل ہیں۔
ب) درجہ حرارت اور وقت
درجہ حرارت کی حد: 25 ° C - 90 ° C (ہیٹنگ صفائی کو تیز کرتی ہے)۔
معیاری صفائی: 3 - 15 منٹ فی ٹینک (صاف محلول کا استعمال کرتے ہوئے)۔
ضدی باقیات: 30 منٹ تک بڑھایا جا سکتا ہے۔
c) کلیدی آپریٹنگ ہدایات
صاف ستھرا حل استعمال کریں: کم کرنے کی ضرورت نہیں ہے۔
مقررہ درجہ حرارت کو برقرار رکھیں: سٹرپنگ محلول میں ویفرز کو ڈبونے کے بعد۔
فوٹو ریزسٹ موٹائی/کاربنائزیشن ڈگری کی بنیاد پر وقت کو ایڈجسٹ کریں۔
مواد خالی ہے!