מחשפת פוטו-רזיסט מוקשה חומצה קלה

א) יכולת הסרת photoresist בספקטרום רחב

• ישים גם לפוטורסיסטים חיוביים ושליליים‌: מפגין מומחיות מיוחדת בטיפול בשאריות עקשניות לאחר האפר, אשפרה ופחממה.

ב) נוסחת חומצה קלה

• ערך pH‌: נע בין 3-5, הימנעות קורוזיה לשכבות מתכת כגון Al, Cu, Ti ומוליכים למחצה מורכבים כמו GaAs.

ג) ידידותי לסביבה ובטוח

• ללא הלוגן וללא פלואור‌: תואם לתקנות סביבתיות כגון RoHS ו-REACH.

• תנודתיות נמוכה ו-VOC נמוך‌: לא רעיל ולא דליק, מפחית את הסכנות במקום העבודה ושומר על בריאות המפעיל.

ד) יעילות תהליכים

• ישימות בטמפרטורה רחבה (25°C–90°C): יציבה בטמפ' נמוכה עבור MEMS/אריזה מתקדמת, עמידה בטמפ' גבוהה עבור EUV.

• חדירה יעילה‌: מציג מסיסות מצוינת עבור פוטו-רזיסטים מוצלבים מאוד (למשל, SU-8) ופוטו-רזיסטים שליליים מוגזים.

• תהליך פשוט‌: מוצר יחיד המסוגל לתאימות פוטו-רזיסט כפולה, להפחית את זמן החלפת קו הייצור, למנוע זיהום צולב ולהאריך את תוחלת חיי הציוד.

א) שבבים מבוססי סיליקון‌

תואם עם Si/SiO₂/SiN, מגן על שכבות חיבור Cu/Al.

ב) התקני GaAs/GaN‌

נוסחת חומצה עדינה מונעת קורוזיה של אלקטרודות Au/Ti.

ג) מוליכים למחצה כוח‌

מסיר ביעילות SiC פוטו-רזיסט מופחם בטמפרטורה גבוהה, מגן על שכבות Al.

ד) אריזה מתקדמת‌

מנקה בו זמנית שאריות TSV ושכבות פסיבציה של PI.

ה) חיישני MEMS‌

מסיר שאריות תחריט סיליקון עמוקות מבלי לשתות את רפידות Au.

ו) אלקטרוניקה גמישה‌

תואם עם מצעי PI/PET מבלי לפגוע בחוטי ננו-כסף.

א) שיטות ניקוי ישימות

• מומלץ: השרייה חמה

• שיטות אחרות כוללות אולטרסאונד, ריסוס והברשה.

ב) טמפרטורה וזמן

• טווח טמפרטורה‌: 25°C - 90°C (חימום מאיץ את הניקוי).

• ניקוי סטנדרטי‌: 3 - 15 דקות לכל מיכל (באמצעות תמיסה מסודרת).

• שאריות עקשניות‌: ניתן להאריך עד 30 דקות.

ג) הוראות הפעלה מרכזיות

• השתמש בתמיסה מסודרת‌: אין צורך בדילול.

• שמור על טמפרטורה מוגדרת‌: לאחר טבילת פרוסות בתמיסת ההפשטה.

• התאם את הזמן בהתבסס על עובי פוטו-רזיסט/דרגת קרבוניזציה‌.