М’яко зміцнений кислотою фоторезист для видалення

a) Можливість видалення фоторезисту широкого спектру дії

• Застосовується як до позитивних, так і до негативних фоторезистів‌: демонструє особливий досвід роботи з стійкими залишками після озолення, затвердіння та карбонізації.

б) М’яка кислотна формула

• Значення рН‌: коливається в межах 3-5, що запобігає корозії металевих шарів, таких як Al, Cu, Ti, і складних напівпровідників, таких як GaAs.

в) Екологічно чистий і безпечний

• Без галогенів і фтору‌: відповідає екологічним нормам, таким як RoHS і REACH.

• Низька летючість і низький вміст летких органічних сполук‌: нетоксичний і незаймистий, знижує ризики на робочому місці та захищає здоров’я оператора.

d) Ефективність процесу

• Застосовність у широкому діапазоні температур (25°C–90°C): стабільний при низькій температурі для MEMS/розширеного пакування, стійкий до високих температур для EUV.

• Ефективне проникнення‌: демонструє чудову розчинність високозшитих фоторезистів (наприклад, SU-8) і карбонізованих негативних фоторезистів.

• Спрощений процес‌: єдиний продукт, сумісний із двома фоторезистами, скорочує час перемикання виробничої лінії, запобігає перехресному забрудненню та подовжує термін служби обладнання.

a) Чіпи на основі кремнію‌

Сумісний із Si/SiO₂/SiN, захищаючи з’єднувальні шари Cu/Al.

b) Пристрої GaAs/GaN‌

М’яка кислотна формула запобігає корозії Au/Ti електродів.

в) Силові напівпровідники‌

Ефективно видаляє високотемпературний карбонізований фоторезист SiC, захищаючи шари Al.

d) Розширене пакування‌

Одночасно очищає залишки TSV і шари пасивації PI.

e) Датчики MEMS‌

Видаляє глибокі залишки травлення кремнію, не роз’їдаючи Au прокладок.

f) Гнучка електроніка‌

Сумісний із підкладками PI/PET без пошкодження наносрібних дротів.

a) Застосовні методи очищення

• Рекомендовано‌: гаряче замочування

• Інші методи включають ультразвук, розпилення та чищення.

b) Температура і час

• Діапазон температур‌: 25°C – 90°C (нагрівання прискорює очищення).

• Стандартне очищення‌: 3–15 хвилин на бак (з використанням чистого розчину).

• Стійкі залишки‌: можна продовжити до 30 хвилин.

c) Основні інструкції з експлуатації

• Використовуйте чистий розчин‌: розведення не потрібне.

• Підтримувати задану температуру‌: після занурення пластин у розчин для видалення.

• Налаштуйте час на основі товщини фоторезисту/ступеню карбонізації‌.