Decapante fotorresistente endurecido con ácido suave

a) Capacidad de eliminación de fotoprotectores de amplio espectro

• Aplicable a fotorresistentes tanto positivos como negativos: demuestra experiencia particular en el manejo de residuos rebeldes después de la incineración, el curado y la carbonización.

b) Fórmula ácida suave

• Valor de pH‌: oscila entre 3 y 5, lo que evita la corrosión de capas metálicas como Al, Cu, Ti y semiconductores compuestos como GaAs.

c) Respetuoso con el medio ambiente y seguro

• Sin halógenos ni flúor‌: Cumple con normativas medioambientales como RoHS y REACH.

• Baja volatilidad y bajo VOC‌: no tóxico ni inflamable, lo que reduce los riesgos en el lugar de trabajo y salvaguarda la salud del operador.

d) Eficiencia del proceso

• Aplicabilidad en amplias temperaturas (25°C–90°C): estable a bajas temperaturas para MEMS/envases avanzados, resistente a altas temperaturas para EUV.

• Penetración eficiente‌: exhibe una excelente solubilidad para fotorresistentes altamente reticulados (p. ej., SU-8) y fotorresistentes negativos carbonizados.

• Proceso simplificado‌: un solo producto capaz de ofrecer compatibilidad con fotoprotectores duales, lo que reduce el tiempo de cambio de línea de producción, evita la contaminación cruzada y extiende la vida útil del equipo.

a) Chips a base de silicio‌

Compatible con Si/SiO₂/SiN, protegiendo las capas de interconexión Cu/Al.

b) Dispositivos GaAs/GaN‌

La fórmula de ácido suave previene la corrosión de los electrodos de Au/Ti.

c) Semiconductores de potencia‌

Elimina eficientemente el fotorresistente carbonizado de alta temperatura de SiC, protegiendo las capas de Al.

d) Embalaje avanzado‌

Limpia simultáneamente residuos de TSV y capas de pasivación de PI.

e) Sensores MEMS‌

Elimina residuos de grabado de silicona profundo sin corroer las almohadillas Au.

f) Electrónica flexible‌

Compatible con sustratos PI/PET sin dañar los cables de nanoplata.

a) Métodos de limpieza aplicables

• Recomendado‌: remojo en caliente

• Otros métodos incluyen ultrasonidos, pulverización y cepillado.

b) Temperatura y Tiempo

• Rango de temperatura‌: 25 °C – 90 °C (el calentamiento acelera la limpieza).

• Limpieza estándar‌: 3 a 15 minutos por tanque (usando solución pura).

• Residuo rebelde‌: se puede extender hasta 30 minutos.

c) Instrucciones de funcionamiento clave

• Utilice solución pura‌: no requiere dilución.

• Mantener la temperatura establecida‌: después de sumergir las obleas en la solución de extracción.

• Ajuste el tiempo según el espesor del fotorresistente/grado de carbonización.