Скидач фотоотпорности са благом киселином

а) Способност уклањања фоторезиста широког спектра

• Применљиво и на позитивне и на негативне фоторезисте‌: Показује посебну стручност у руковању тврдокорним остацима након пепела, очвршћавања и карбонизације.

б) Формула благе киселине

• пХ вредност‌: креће се између 3-5, избегавајући корозију металних слојева као што су Ал, Цу, Ти и сложене полупроводнике као што је ГаАс.

ц) Еколошки прихватљиво и безбедно

• Без халогена и флуора‌: У складу са еколошким прописима као што су РоХС и РЕАЦХ.

• Мала испарљивост и низак ВОЦ‌: Нетоксичан и незапаљив, смањује опасности на радном месту и чува здравље руковаоца.

д) Ефикасност процеса

• Применљивост на широким температурама (25°Ц–90°Ц): Стабилно на ниске температуре за МЕМС/напредно паковање, отпорно на високе температуре за ЕУВ.

• Ефикасна пенетрација‌: Показује одличну растворљивост за високо умрежене фоторезисте (нпр. СУ-8) и карбонизоване негативне фоторезисте.

• Поједностављени процес‌: Један производ који је компатибилан са двоструким фотоотпором, смањује време пребацивања производне линије, избегава унакрсну контаминацију и продужава животни век опреме.

а) Чипови на бази силикона

Компатибилан са Си/СиО₂/СиН, штитећи Цу/Ал слојеве међусобне везе.

б) ГаАс/ГаН уређаји‌

Блага кисела формула спречава корозију Ау/Ти електрода.

ц) Повер Семицондуцторс‌

Ефикасно уклања СиЦ високотемпературни карбонизован фоторезист, штитећи Ал слојеве.

д) Напредно паковање‌

Истовремено чисти остатке ТСВ и слојеве пасивизације ПИ.

е) МЕМС сензори‌

Уклања дубоке остатке силикона без корозије Ау јастучића.

ф) Флексибилна електроника‌

Компатибилан са ПИ/ПЕТ подлогама без оштећења нано-сребрних жица.

а) Применљиве методе чишћења

• Препоручено: вруће намакање

• Остале методе укључују ултразвук, прскање и четкање.

б) Температура и време

• Температурни опсег‌: 25°Ц – 90°Ц (грејање убрзава чишћење).

• Стандардно чишћење‌: 3 – 15 минута по резервоару (користећи чист раствор).

• Тврдоглави остаци‌: Може се продужити до 30 минута.

ц) Кључна упутства за употребу

• Користите чист раствор‌: Није потребно разређивање.

• Одржавајте подешену температуру‌: Након потапања вафла у раствор за скидање.

• Подесите време на основу дебљине фоторезиста/степена карбонизације‌.