Απογυμνωτικό φωτοανθεκτικό ελαφρύ σκληρό οξύ

α) Δυνατότητα αφαίρεσης φωτοανθεκτικού ευρέος φάσματος

• Ισχύει τόσο για θετικά όσο και για αρνητικά φωτοανθεκτικά: Επιδεικνύει ιδιαίτερη τεχνογνωσία στον χειρισμό επίμονων υπολειμμάτων μετά την τέφρα, τη σκλήρυνση και την ενανθράκωση.

β) Ήπια όξινη φόρμουλα

• Τιμή pH‌: Κυμαίνεται μεταξύ 3-5, αποφεύγοντας τη διάβρωση σε μεταλλικά στρώματα όπως Al, Cu, Ti και σύνθετους ημιαγωγούς όπως GaAs.

γ) Φιλικό προς το περιβάλλον και ασφαλές

• Χωρίς αλογόνο και χωρίς φθόριο‌: Συμμορφώνεται με περιβαλλοντικούς κανονισμούς όπως RoHS και REACH.

• Χαμηλή πτητικότητα και χαμηλή πτητικότητα: Μη τοξικό και μη εύφλεκτο, μειώνοντας τους κινδύνους στο χώρο εργασίας και προστατεύοντας την υγεία του χειριστή.

δ) Αποδοτικότητα Διαδικασιών

• Δυνατότητα εφαρμογής σε ευρεία θερμοκρασία (25°C–90°C): Σταθερό σε χαμηλές θερμοκρασίες για MEMS/προηγμένες συσκευασίες, ανθεκτικό στις υψηλές θερμοκρασίες για EUV.

• Αποδοτική διείσδυση‌: Επιδεικνύει εξαιρετική διαλυτότητα για φωτοανθεκτικά υψηλής διασταύρωσης (π.χ. SU-8) και ανθρακούχα αρνητικά φωτοανθεκτικά.

• Απλοποιημένη διαδικασία‌: Ένα μεμονωμένο προϊόν ικανό για συμβατότητα διπλής φωτοαντίστασης, μειώνοντας τον χρόνο αλλαγής γραμμής παραγωγής, αποφεύγοντας τη διασταυρούμενη μόλυνση και παρατείνοντας τη διάρκεια ζωής του εξοπλισμού.

α) Τσιπ με βάση το πυρίτιο

Συμβατό με Si/SiO2/SiN, προστατεύοντας τα στρώματα διασύνδεσης Cu/Al.

β) Συσκευές GaAs/GaN‌

Η ήπια όξινη φόρμουλα αποτρέπει τη διάβρωση των ηλεκτροδίων Au/Ti.

γ) Ημιαγωγοί ισχύος

Αφαιρεί αποτελεσματικά το ανθρακούχο φωτοανθρακικό SiC υψηλής θερμοκρασίας, προστατεύοντας τα στρώματα Al.

δ) Προηγμένη συσκευασία

Καθαρίζει ταυτόχρονα τα υπολείμματα TSV και τα στρώματα παθητικοποίησης PI.

ε) Αισθητήρες MEMS

Αφαιρεί βαθιά υπολείμματα χάραξης πυριτίου χωρίς να διαβρώνει τα μαξιλαράκια Au.

στ) Ευέλικτα Ηλεκτρονικά‌

Συμβατό με υποστρώματα PI/PET χωρίς να καταστρέφει τα νανοασημένια σύρματα.

α) Εφαρμοστέες Μέθοδοι Καθαρισμού

• Συνιστάται: Ζεστό μούλιασμα

• Άλλες μέθοδοι περιλαμβάνουν υπερήχους, ψεκασμό και βούρτσισμα.

β) Θερμοκρασία και Χρόνος

• Εύρος θερμοκρασίας‌: 25°C – 90°C (η θέρμανση επιταχύνει τον καθαρισμό).

• Τυπικός καθαρισμός‌: 3 – 15 λεπτά ανά δεξαμενή (χρησιμοποιώντας καθαρό διάλυμα).

• Επίμονο κατάλοιπο: Μπορεί να παραταθεί έως και 30 λεπτά.

γ) Βασικές Οδηγίες Λειτουργίας

• Χρησιμοποιήστε καθαρό διάλυμα‌: Δεν απαιτείται αραίωση.

• Διατήρηση καθορισμένης θερμοκρασίας: Αφού βυθίσετε τις γκοφρέτες στο διάλυμα απογύμνωσης.

• Προσαρμογή χρόνου με βάση το πάχος φωτοανθεκτικού/βαθμού ενανθράκωσης‌.