| ມີ: | |
|---|---|
| ຈໍານວນ: | |
8299
8299 Mild Acid Hardened Photoresist Stripper ເປັນອາຊິດອ່ອນໆແລະການແກ້ໄຂ photoresist ເປັນມິດກັບສິ່ງແວດລ້ອມ, ແລະຖືກອອກແບບມາເປັນພິເສດເພື່ອແກ້ໄຂບັນຫາການຕົກຄ້າງຂອງ photoresist ລົບຫຼັງຈາກ ashing , curing , ຫຼືແມ້ກະທັ້ງ carbonization . ຮູບແບບທີ່ເປັນເອກະລັກຂອງມັນ, ການລວມເອົາອາຊິດອິນຊີ, ທາດຍັບຍັ້ງການກັດກ່ອນທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ, ແລະຕົວລະລາຍທີ່ມີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນຕ່ໍາ, ຮັບປະກັນການກໍາຈັດ photoresist ທີ່ມີປະສິດທິພາບພາຍໃຕ້ສະພາບທີ່ບໍ່ຮຸນແຮງໃນຂະນະທີ່ປົກປ້ອງວັດສະດຸແລະຊັ້ນຍ່ອຍຕ່າງໆຢ່າງປອດໄພ.
a) ຄວາມສາມາດຂອງການໂຍກຍ້າຍ photoresist ກວ້າງສະແດງກິ່ງງ່າ
ໃຊ້ໄດ້ກັບທັງ Photoresists ໃນທາງບວກແລະທາງລົບ: ສະແດງໃຫ້ເຫັນຄວາມຊໍານານໂດຍສະເພາະໃນການຈັດການສິ່ງເສດເຫຼືອທີ່ແຂງກະດ້າງຫຼັງຈາກຂີ້ເຖົ່າ, ການຮັກສາ, ແລະຄາບອນ.
b) ສູດອາຊິດອ່ອນ
ຄ່າ pH: ຢູ່ໃນລະດັບລະຫວ່າງ 3-5, ຫຼີກເວັ້ນການ corrosion ກັບຊັ້ນໂລຫະເຊັ່ນ: Al, Cu, Ti, ແລະສານປະສົມ semiconductors ເຊັ່ນ GaAs.
c) ເປັນມິດກັບສິ່ງແວດລ້ອມ ແລະປອດໄພ
Halogen-Free ແລະ Fluorine-Free: ປະຕິບັດຕາມກົດລະບຽບດ້ານສິ່ງແວດລ້ອມເຊັ່ນ RoHS ແລະ REACH.
ການເຫນັງຕີງຕ່ໍາແລະ VOC ຕ່ໍາ: ບໍ່ມີສານພິດແລະບໍ່ຕິດໄຟ, ຫຼຸດຜ່ອນອັນຕະລາຍໃນບ່ອນເຮັດວຽກແລະປົກປ້ອງສຸຂະພາບຂອງຜູ້ປະຕິບັດງານ.
d) ປະສິດທິພາບຂະບວນການ
ການນຳໃຊ້ອຸນຫະພູມກ້ວາງ (25°C–90°C): ອຸນຫະພູມຕ່ຳທີ່ໝັ້ນຄົງສຳລັບ MEMS/ການຫຸ້ມຫໍ່ຂັ້ນສູງ, ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງສຳລັບ EUV.
ການເຈາະປະສິດທິພາບ: ສະແດງໃຫ້ເຫັນການລະລາຍທີ່ດີເລີດສໍາລັບການ photoresists crosslinked ສູງ (ຕົວຢ່າງ, SU-8) ແລະ photoresists ລົບ carbonized.
ຂະບວນການງ່າຍດາຍ: ຜະລິດຕະພັນດຽວທີ່ສາມາດເຂົ້າກັນໄດ້ photoresist ສອງ, ຫຼຸດຜ່ອນເວລາການປ່ຽນສາຍການຜະລິດ, ຫຼີກເວັ້ນການປົນເປື້ອນຂ້າມ, ແລະຍືດອາຍຸອຸປະກອນ.
| ຄຸນສົມບັດ |
Stripper ແບບດັ້ງເດີມ |
8299 |
| ຄວາມປອດໄພຂອງວັດສະດຸ |
ອາດຈະກັດໂລຫະ (Cu/Al) | ປອດໄພສຳລັບວັດສະດຸຫຼັກທັງໝົດ |
| Photoresist Rang | ຈຳກັດເປັນ 1 ປະເພດ (+/–) | ຈັດການທຸກປະເພດ + ກາກບອນ |
| ເປັນມິດກັບສິ່ງແວດລ້ອມ | ມັກຈະມີ VOC/halogen ສູງ | ບໍ່ມີ halogen, VOC ຕໍ່າ |
| ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນຂະບວນການ | ຕ້ອງການຫຼາຍຜະລິດຕະພັນ | ຫນຶ່ງໃນການແກ້ໄຂສໍາລັບທຸກຄົນ |
| ຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ຂອງອຸປະກອນ | ອາດເຮັດໃຫ້ລົດຖັງຫຼຸດລົງ | ບໍ່ກັດກ່ອນ |
| ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ | 40–80°C | 25–90°C |
| ລັກສະນະ | ໜ່ວຍ | ຂໍ້ມູນ |
| ຄ່າ pH |
- | 3-5 |
| ກາວິທັດສະເພາະ | - | 0.95-1 |
| ຈຸດຕົ້ມ | °C | 190 |
a) ຊິລິໂຄນທີ່ໃຊ້ຊິລິໂຄນ
ເຂົ້າກັນໄດ້ກັບ Si/SiO₂/SiN, ປົກປ້ອງຊັ້ນເຊື່ອມຕໍ່ລະຫວ່າງ Cu/Al.
b) ອຸປະກອນ GaAs/GaN
ສູດອາຊິດອ່ອນໆປ້ອງກັນການກັດກ່ອນຂອງ electrodes Au/Ti.
c) ພະລັງງານ Semiconductors
ປະສິດທິຜົນກໍາຈັດ SiC ທີ່ມີຄວາມຮ້ອນສູງ carbonized photoresist, ປົກປ້ອງຊັ້ນ Al.
d) ການຫຸ້ມຫໍ່ແບບພິເສດ
ພ້ອມກັນລ້າງສານຕົກຄ້າງ TSV ແລະຊັ້ນ PI passivation.
e) ເຊັນເຊີ MEMS
ກໍາຈັດສິ່ງເສດເຫຼືອຂອງຊິລິໂຄນເລິກໂດຍບໍ່ເຮັດໃຫ້ແຜ່ນ Au corroding.
f) ເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ມີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນ
ເຂົ້າກັນໄດ້ກັບ PI/PET substrates ໂດຍບໍ່ມີການທໍາລາຍສາຍ nano-silver.
a) ວິທີການທໍາຄວາມສະອາດທີ່ໃຊ້ໄດ້
ແນະນໍາ: ແຊ່ນ້ໍາຮ້ອນ
ວິທີການອື່ນໆປະກອບມີ ultrasonic, ການສີດພົ່ນ, ແລະແປງ.
b) ອຸນຫະພູມແລະເວລາ
ຊ່ວງອຸນຫະພູມ: 25°C – 90°C (ຄວາມຮ້ອນເລັ່ງການທໍາຄວາມສະອາດ).
ທໍາຄວາມສະອາດມາດຕະຖານ: 3 – 15 ນາທີຕໍ່ຖັງ (ການນໍາໃຊ້ການແກ້ໄຂທີ່ສະອາດ).
ການຕົກຄ້າງທີ່ແຂງກະດ້າງ: ສາມາດຕໍ່ໄປໄດ້ເຖິງ 30 ນາທີ.
c) ຄໍາແນະນໍາການດໍາເນີນງານທີ່ສໍາຄັນ
ໃຊ້ Neat Solution: ບໍ່ຈໍາເປັນຕ້ອງມີການເຈືອຈາງ.
ຮັກສາອຸນຫະພູມທີ່ກໍານົດໄວ້: ຫຼັງຈາກແຊ່ນ້ໍາ wafers ໃນການແກ້ໄຂການປອກເປືອກ.
ປັບເວລາໂດຍອີງໃສ່ລະດັບຄວາມຫນາຂອງ photoresist / carbonization.
ເນື້ອຫາຫວ່າງເປົ່າ!