Stripper fotorresistente endurecido com ácido suave

a) Capacidade de remoção de fotorresiste de amplo espectro

• Aplicável a fotorresistentes positivos e negativos‌: Demonstra experiência específica no manuseio de resíduos teimosos após incineração, cura e carbonização.

b) Fórmula Ácida Suave

• Valor de pH‌: varia entre 3-5, evitando corrosão em camadas metálicas como Al, Cu, Ti e semicondutores compostos como GaAs.

c) Ecologicamente correto e seguro

• Sem halogênio e sem flúor‌: está em conformidade com regulamentações ambientais como RoHS e REACH.

• Baixa volatilidade e baixo VOC‌: Não tóxico e não inflamável, reduzindo os riscos no local de trabalho e protegendo a saúde do operador.

d) Eficiência do Processo

• Aplicabilidade em amplas temperaturas (25°C–90°C): Estável em baixas temperaturas para MEMS/embalagens avançadas, resistente a altas temperaturas para EUV.

• Penetração Eficiente‌: Apresenta excelente solubilidade para fotorresistentes altamente reticulados (por exemplo, SU-8) e fotorresistentes negativos carbonizados.

• Processo simplificado‌: Um único produto capaz de compatibilidade fotorresistente dupla, reduzindo o tempo de troca da linha de produção, evitando contaminação cruzada e prolongando a vida útil do equipamento.

a) Chips à base de silício‌

Compatível com Si/SiO₂/SiN, protegendo camadas de interconexão Cu/Al.

b) Dispositivos GaAs/GaN‌

A fórmula ácida suave evita a corrosão dos eletrodos de Au/Ti.

c) Semicondutores de potência‌

Remove eficientemente o fotorresistente carbonizado de alta temperatura SiC, protegendo as camadas de Al.

d) Embalagem Avançada‌

Limpa simultaneamente resíduos de TSV e camadas de passivação de PI.

e) Sensores MEMS‌

Remove resíduos profundos de gravação de silicone sem corroer as almofadas Au.

f) Eletrônica Flexível‌

Compatível com substratos PI/PET sem danificar os fios de nanoprata.

a) Métodos de limpeza aplicáveis

• Recomendado‌: Imersão quente

• Outros métodos incluem ultrassom, pulverização e escovação.

b) Temperatura e Tempo

• Faixa de temperatura‌: 25°C – 90°C (o aquecimento acelera a limpeza).

• Limpeza padrão‌: 3 a 15 minutos por tanque (usando solução pura).

• Resíduo Teimoso‌: Pode ser estendido até 30 minutos.

c) Principais instruções operacionais

• Use Solução Pura‌: Não é necessária diluição.

• Manter a temperatura definida‌: Após mergulhar os wafers na solução de decapagem.

• Ajuste o tempo com base na espessura do fotorresistente/grau de carbonização‌.