Blag kislinsko utrjen odstranjevalec fotorezista

a) Zmogljivost odstranjevanja fotorezista širokega spektra

• Uporabno tako za pozitivne kot negativne fotoreziste‌: dokazuje posebno strokovnost pri ravnanju s trdovratnimi ostanki po žarenju, utrjevanju in karbonizaciji.

b) Blaga kislinska formula

• Vrednost pH‌: Razpon med 3-5, kar preprečuje korozijo kovinskih plasti, kot so Al, Cu, Ti, in sestavljenih polprevodnikov, kot je GaAs.

c) Okolju prijazen in varen

• Brez halogenov in fluora‌: v skladu z okoljskimi predpisi, kot sta RoHS in REACH.

• Nizka hlapnost in nizka vsebnost VOC‌: Nestrupeno in negorljivo, zmanjšuje nevarnosti na delovnem mestu in ščiti zdravje operaterja.

d) Učinkovitost procesa

• Široka temperaturna uporabnost (25 °C–90 °C): stabilen pri nizkih temperaturah za MEMS/napredno pakiranje, odporen na visoke temperature za EUV.

• Učinkovita penetracija‌: kaže odlično topnost za visoko zamrežene fotoreziste (npr. SU-8) in karbonizirane negativne fotoreziste.

• Poenostavljen postopek‌: En sam izdelek z združljivostjo dvojnega fotorezista, s čimer skrajša čas preklopa proizvodne linije, prepreči navzkrižno kontaminacijo in podaljša življenjsko dobo opreme.

a) Čipi na osnovi silicija‌

Združljiv s Si/SiO₂/SiN, ščiti medsebojne plasti Cu/Al.

b) Naprave GaAs/GaN‌

Blaga kislinska formula preprečuje korozijo Au/Ti elektrod.

c) močnostni polprevodniki‌

Učinkovito odstranjuje visokotemperaturni karboniziran fotorezist SiC in ščiti plasti Al.

d) Napredno pakiranje‌

Istočasno čisti ostanke TSV in pasivacijske plasti PI.

e) Senzorji MEMS‌

Odstrani ostanke globokega jedkanja silicija brez razjedanja Au blazinic.

f) Fleksibilna elektronika‌

Združljiv s substrati PI/PET, ne da bi poškodoval nano-srebrne žice.

a) Veljavne metode čiščenja

• Priporočljivo‌: vroče namakanje

• Druge metode vključujejo ultrazvok, pršenje in ščetkanje.

b) Temperatura in čas

• Temperaturno območje‌: 25°C – 90°C (ogrevanje pospeši čiščenje).

• Standardno čiščenje‌: 3 – 15 minut na rezervoar (z uporabo čiste raztopine).

• Trdovratni ostanki‌: Lahko se podaljša do 30 minut.

c) Ključna navodila za uporabo

• Uporabite čisto raztopino‌: redčenje ni potrebno.

• Ohranite nastavljeno temperaturo‌: po potopitvi rezin v raztopino za odstranjevanje.

• Prilagodite čas glede na debelino fotorezista/stopnjo karbonizacije‌.