Mild syreherdet fotoresiststripper

a) Mulighet for fjerning av bredspektret fotoresist

• Gjelder for både positive og negative fotoresister‌: Viser spesiell ekspertise i håndtering av gjenstridige rester etter asking, herding og karbonisering.

b) Mild syreformel

• pH-verdi‌: varierer mellom 3-5, og unngår korrosjon på metalllag som Al, Cu, Ti og sammensatte halvledere som GaAs.

c) Miljøvennlig og trygt

• Halogenfri og fluorfri‌: Samsvarer med miljøforskrifter som RoHS og REACH.

• Lav flyktighet og lav VOC‌: Ikke-giftig og ikke-brennbar, reduserer farer på arbeidsplassen og ivaretar operatørens helse.

d) Prosesseffektivitet

• Anvendbarhet for bred temperatur (25°C–90°C): Lavtemperaturstabil for MEMS/avansert emballasje, høytemperaturbestandig for EUV.

• Effektiv penetrering‌: Utviser utmerket løselighet for sterkt tverrbundne fotoresister (f.eks. SU-8) og karboniserte negative fotoresister.

• Forenklet prosess‌: Et enkelt produkt som er i stand til dobbel fotoresist-kompatibilitet, reduserer produksjonslinjebyttetiden, unngår krysskontaminering og forlenger utstyrets levetid.

a) Silisiumbaserte chips‌

Kompatibel med Si/SiO₂/SiN, beskytter Cu/Al-forbindelseslag.

b) GaAs/GaN-enheter‌

Mild syreformel forhindrer korrosjon av Au/Ti-elektroder.

c) Krafthalvledere‌

Fjerner effektivt SiC høytemperatur karbonisert fotoresist, og beskytter Al-lag.

d) Avansert emballasje‌

Renser samtidig TSV-rester og PI-passiveringslag.

e) MEMS-sensorer‌

Fjerner dype silisiumetsrester uten å korrodere Au-puter.

f) Fleksibel elektronikk‌

Kompatibel med PI/PET-substrater uten å skade nano-sølv ledninger.

a) Gjeldende rengjøringsmetoder

• Anbefalt: Varm bløtlegging

• Andre metoder inkluderer ultralyd, spraying og børsting.

b) Temperatur og tid

• Temperaturområde‌: 25°C – 90°C (oppvarming akselererer rengjøringen).

• Standard rengjøring‌: 3 – 15 minutter per tank (ved bruk av ren løsning).

• Vanskelig rest‌: Kan forlenges opp til 30 minutter.

c) Viktige driftsinstruksjoner

• Bruk ren løsning‌: Ingen fortynning nødvendig.

• Oppretthold innstilt temperatur‌: Etter nedsenking av wafere i strippeløsningen.

• Juster tid basert på fotoresisttykkelse/karboniseringsgrad‌.