Enyhén savas keménységű fotoreziszt eltávolító

a) Széles spektrumú fotoreziszt eltávolítási képesség

• Pozitív és negatív fotorezisztekre egyaránt alkalmazható‌: Különleges szakértelemmel rendelkezik a hamvasztás, kikeményedés és elszenesedés utáni makacs maradványok kezelésében.

b) Enyhe sav formula

• pH-érték‌: 3-5 között van, elkerülve a fémrétegek, például Al, Cu, Ti és az összetett félvezetők, például a GaAs korrózióját.

c) Környezetbarát és biztonságos

• Halogén- és fluormentes‌: Megfelel a környezetvédelmi előírásoknak, mint például a RoHS és a REACH.

• Alacsony illékonyság és alacsony VOC‌: Nem mérgező és nem gyúlékony, csökkenti a munkahelyi veszélyeket és védi a kezelő egészségét.

d) Folyamathatékonyság

• Széles hőmérsékletű alkalmazhatóság (25°C–90°C): Alacsony hőmérsékleten stabil MEMS/fejlett csomagoláshoz, magas hőmérsékleten ellenálló EUV esetén.

• Hatékony penetráció‌: Kiváló oldhatóságot mutat erősen térhálósított fotorezisztek (pl. SU-8) és karbonizált negatív fotorezisztek esetében.

• Egyszerűsített folyamat‌: Egyetlen termék, amely képes kettős fotoreziszt kompatibilitásra, csökkenti a gyártósor váltási idejét, elkerüli a keresztszennyeződést, és meghosszabbítja a berendezés élettartamát.

a) Szilícium alapú chipek

Si/SiO₂/SiN kompatibilis, védi a Cu/Al összekötő rétegeket.

b) GaAs/GaN eszközök

Az enyhe savas formula megakadályozza az Au/Ti elektródák korrózióját.

c) Teljesítmény-félvezetők

Hatékonyan távolítja el a SiC magas hőmérsékleten elszenesedett fotorezisztet, védve az Al rétegeket.

d) Advanced Packaging‌

Egyszerre tisztítja a TSV-maradványokat és a PI passzivációs rétegeket.

e) MEMS érzékelők

Eltávolítja a mély szilícium maratott maradványokat anélkül, hogy korrodálná az Au betéteket.

f) Rugalmas elektronika

Kompatibilis a PI/PET szubsztrátumokkal a nano-ezüst huzalok károsítása nélkül.

a) Alkalmazható tisztítási módszerek

• Javasolt: Forró áztatás

• Egyéb módszerek közé tartozik az ultrahang, a permetezés és a fogmosás.

b) Hőmérséklet és idő

• Hőmérséklet-tartomány‌: 25°C – 90°C (a fűtés felgyorsítja a tisztítást).

• Normál tisztítás‌: 3-15 perc tartályonként (tiszta oldattal).

• Makacs maradványok‌: Akár 30 percig is meghosszabbítható.

c) Kulcsfontosságú kezelési útmutató

• Használjon tiszta oldatot‌: nincs szükség hígításra.

• A beállított hőmérséklet fenntartása‌: Miután az ostyákat a sztrippelő oldatba merítette.

• Idő beállítása a fotoreziszt vastagsága/karbonizációs foka alapján.