| উপলব্ধতা: | |
|---|---|
| পরিমাণ: | |
8299
8299 মাইল্ড অ্যাসিড হার্ডেনড ফটোরেসিস্ট স্ট্রিপার হল একটি হালকা অ্যাসিড এবং পরিবেশ বান্ধব ফটোরেসিস্ট স্ট্রিপিং সলিউশন, এবং বিশেষভাবে পরে নেতিবাচক ফটোরেসিস্টের অবশিষ্টাংশের সমস্যাগুলি সমাধান করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে অ্যাশিং , কিউরিং বা এমনকি কার্বনাইজেশনের । এর অনন্য ফর্মুলেশন, জৈব অ্যাসিড, উচ্চ-দক্ষতা জারা প্রতিরোধক, এবং কম-অস্থিরতা দ্রাবকগুলিকে একত্রিত করে, বিভিন্ন ধরণের উপকরণ এবং স্তরগুলিকে নিরাপদে সুরক্ষিত করার সময় হালকা অবস্থার মধ্যে দক্ষ ফটোরেসিস্ট অপসারণ নিশ্চিত করে।
ক) ব্রড-স্পেকট্রাম ফটোরেসিস্ট অপসারণের ক্ষমতা
ইতিবাচক এবং নেতিবাচক ফটোরেসিস্ট উভয়ের জন্য প্রযোজ্য–: ছাই, নিরাময় এবং কার্বনাইজেশনের পরে একগুঁয়ে অবশিষ্টাংশগুলি পরিচালনা করার ক্ষেত্রে বিশেষ দক্ষতা প্রদর্শন করে।
খ) হালকা অ্যাসিড সূত্র
pH মান–: 3-5-এর মধ্যে রেঞ্জ, আল, Cu, Ti এবং GaAs-এর মতো যৌগিক সেমিকন্ডাক্টরের মতো ধাতব স্তরগুলিতে ক্ষয় এড়ানো।
গ) পরিবেশ বান্ধব এবং নিরাপদ
হ্যালোজেন-মুক্ত এবং ফ্লোরিন-মুক্ত–: RoHS এবং REACH এর মতো পরিবেশগত নিয়ম মেনে চলে।
নিম্ন অস্থিরতা এবং নিম্ন VOC–: অ-বিষাক্ত এবং অ-দাহনীয়, কর্মক্ষেত্রের ঝুঁকি হ্রাস করে এবং অপারেটরের স্বাস্থ্য রক্ষা করে।
ঘ) প্রক্রিয়া দক্ষতা
প্রশস্ত-তাপমাত্রার প্রয়োগযোগ্যতা (25°C–90°C): MEMS/উন্নত প্যাকেজিংয়ের জন্য নিম্ন-তাপ স্থিতিশীল, EUV-এর জন্য উচ্চ-তাপ প্রতিরোধী।
দক্ষ অনুপ্রবেশ–: অত্যন্ত ক্রসলিঙ্কযুক্ত ফটোরেসিস্ট (যেমন, SU-8) এবং কার্বনাইজড নেগেটিভ ফটোরেসিস্টের জন্য চমৎকার দ্রবণীয়তা প্রদর্শন করে।
সরলীকৃত প্রক্রিয়াঃ: একটি একক পণ্য যা দ্বৈত ফটোরেসিস্ট সামঞ্জস্য করতে সক্ষম, উৎপাদন লাইন পরিবর্তনের সময় হ্রাস করে, ক্রস-দূষণ এড়ায় এবং সরঞ্জামের আয়ু বাড়ায়।
| বৈশিষ্ট্য |
ঐতিহ্যবাহী স্ট্রিপার |
8299 |
| উপাদান নিরাপত্তা |
ধাতু ক্ষয় হতে পারে (Cu/Al) | সব মূল উপকরণ জন্য নিরাপদ |
| ফটোরেসিস্ট রং | 1 প্রকারে সীমাবদ্ধ (+/-) | সব ধরনের + কার্বনাইজড পরিচালনা করে |
| পরিবেশ বান্ধব | প্রায়ই উচ্চ VOC/হ্যালোজেন | হ্যালোজেন-মুক্ত, কম VOC |
| প্রক্রিয়া খরচ | একাধিক পণ্য প্রয়োজন | সবার জন্য এক সমাধান |
| সরঞ্জাম সামঞ্জস্যপূর্ণ | ট্যাংক ক্ষয় করতে পারে | অ-ক্ষয়কারী |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 40-80° সে | 25-90° সে |
| বৈশিষ্ট্য | ইউনিট | ডেটা |
| pH মান |
- | 3-5 |
| নির্দিষ্ট মাধ্যাকর্ষণ | - | 0.95-1 |
| স্ফুটনাঙ্ক | °সে | 190 |
ক) সিলিকন-ভিত্তিক চিপস৷
Si/SiO₂/SiN এর সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ, Cu/Al আন্তঃসংযোগ স্তর রক্ষা করে।
খ) GaAs/GaN ডিভাইস৷
হালকা অ্যাসিড সূত্র Au/Ti ইলেক্ট্রোডের ক্ষয় প্রতিরোধ করে।
গ) পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর৷
দক্ষতার সাথে SiC উচ্চ-তাপমাত্রা কার্বনাইজড ফটোরেসিস্ট সরিয়ে দেয়, আল স্তরগুলিকে রক্ষা করে।
ঘ) উন্নত প্যাকেজিং৷
একই সাথে TSV অবশিষ্টাংশ এবং PI প্যাসিভেশন স্তরগুলি পরিষ্কার করে।
e) MEMS সেন্সর৷
এউ প্যাড ক্ষয় না করে গভীর সিলিকন এচের অবশিষ্টাংশ অপসারণ করে।
চ) নমনীয় ইলেকট্রনিক্স’
ন্যানো-সিলভার তারের ক্ষতি না করে PI/PET সাবস্ট্রেটের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।
ক) প্রযোজ্য পরিচ্ছন্নতার পদ্ধতি
প্রস্তাবিত: গরম ভেজানো
অন্যান্য পদ্ধতির মধ্যে রয়েছে অতিস্বনক, স্প্রে করা এবং ব্রাশ করা।
খ) তাপমাত্রা এবং সময়
তাপমাত্রা পরিসীমা: 25°C - 90°C (উষ্ণতা পরিষ্কারকে ত্বরান্বিত করে)।
স্ট্যান্ডার্ড ক্লিনিং: ট্যাঙ্ক প্রতি 3 - 15 মিনিট (পরিচ্ছন্ন সমাধান ব্যবহার করে)।
একগুঁয়ে অবশিষ্টাংশঃ 30 মিনিট পর্যন্ত বাড়ানো যেতে পারে।
গ) মূল অপারেটিং নির্দেশাবলী
ঝরঝরে সমাধান ব্যবহার করুন: কোন পাতলা করার প্রয়োজন নেই।
সেট তাপমাত্রা বজায় রাখুন: স্ট্রিপিং দ্রবণে ওয়েফারগুলি ডুবানোর পরে।
ফটোরেসিস্ট বেধ/কার্বনাইজেশন ডিগ্রির উপর ভিত্তি করে সময় সামঞ্জস্য করুন।
বিষয়বস্তু খালি!