መለስተኛ አሲድ የጠነከረ ፎተሪረስት ስትሪፐር

ሀ) ሰፊ-ስፔክትረም የፎቶ መከላከያ የማስወገድ ችሎታ

• ለሁለቱም አዎንታዊ እና አሉታዊ Photoresists የሚተገበር፡ ከአመድ፣ ከማከም እና ከካርቦንዳይዜሽን በኋላ ግትር የሆኑ ቅሪቶችን በማስተናገድ ረገድ ልዩ እውቀትን ያሳያል።

ለ) ለስላሳ አሲድ ቀመር

• ፒኤች እሴት፡ በ3-5 መካከል ያለው ክልል፣ እንደ Al፣ Cu፣ Ti እና እንደ GaAs ያሉ ውሁድ ሴሚኮንዳክተሮች ባሉ የብረት ንብርብሮች ላይ ዝገትን በማስወገድ።

ሐ) ለአካባቢ ተስማሚ እና ደህንነቱ የተጠበቀ

• Halogen-Free እና Fluorine-Free‌፡ እንደ RoHS እና REACH ያሉ የአካባቢ ጥበቃ ደንቦችን ያከብራል።

• ዝቅተኛ ተለዋዋጭነት እና ዝቅተኛ ቪኦሲ፡- መርዛማ ያልሆኑ እና ተቀጣጣይ ያልሆኑ፣የስራ ቦታ አደጋዎችን በመቀነስ እና የኦፕሬተርን ጤና መጠበቅ።

መ) የሂደቱ ውጤታማነት

• ሰፊ የሙቀት መጠን ተፈጻሚነት (25°C–90°C)፡ ዝቅተኛ የሙቀት መጠን የተረጋጋ ለ MEMS/ የላቀ ማሸጊያ፣ ከፍተኛ የሙቀት መጠን ለ EUV መቋቋም የሚችል።

• ቅልጥፍና ያለው ዘልቆ መግባት፡ ለከፍተኛ ግንኙነት ግንኙነት ያላቸው የፎቶ ዘጋቢዎች (ለምሳሌ SU-8) እና ካርቦንዳይዝድ አሉታዊ የፎቶሪሲስቶች በጣም ጥሩ መሟሟትን ያሳያል።

• ቀለል ያለ ሂደት፡ ባለሁለት የፎቶ ተከላካይ ተኳሃኝነት፣ የምርት መስመር መቀያየር ጊዜን በመቀነስ፣ ተላላፊ ብክለትን በማስወገድ እና የመሳሪያውን ዕድሜ ማራዘም የሚችል ነጠላ ምርት።

ሀ) በሲሊኮን ላይ የተመሰረተ ቺፕስ

ከ Si/SiO₂/SIN ጋር ተኳሃኝ፣ የCu/Al ትስስር ንብርብሮችን በመጠበቅ።

ለ) የGaAs/GaN መሳሪያዎች

መለስተኛ አሲድ ፎርሙላ የአው/ቲ ኤሌክትሮዶችን መበላሸትን ይከላከላል።

ሐ) የኃይል ሴሚኮንዳክተሮች

Al ንብርብሮችን በመጠበቅ የሲሲ ከፍተኛ ሙቀት ያለው ካርቦናዊ ፎተሪሲስትን በብቃት ያስወግዳል።

መ) የላቀ ማሸጊያ

በተመሳሳይ ጊዜ የ TSV ቅሪት እና የ PI ማለፊያ ንብርብሮችን ያጸዳል።

ሠ) MEMS ዳሳሾች

ጥልቅ የሲሊኮን ኢች ቀሪዎችን የ Au pads ሳይበላሽ ያስወግዳል።

ረ) ተለዋዋጭ ኤሌክትሮኒክስ

ናኖ-ብር ሽቦዎችን ሳይጎዳ ከPI/PET ንጣፎች ጋር ተኳሃኝ።

ሀ) የሚመለከታቸው የጽዳት ዘዴዎች

• የሚመከር፡ ሙቅ መጥለቅለቅ

• ሌሎች ዘዴዎች አልትራሳውንድ፣ መርጨት እና መቦረሽ ያካትታሉ።

ለ) ሙቀት እና ጊዜ

• የሙቀት መጠን: 25 ° ሴ - 90 ° ሴ (ማሞቂያ ማጽዳትን ያፋጥናል).

• መደበኛ ጽዳት፡ 3 - 15 ደቂቃ በአንድ ታንክ (የተጣራ መፍትሄ በመጠቀም)።

• ግትር ቅሪት: እስከ 30 ደቂቃዎች ሊራዘም ይችላል.

ሐ) ቁልፍ የአሠራር መመሪያዎች

• ንፁህ መፍትሄን ተጠቀም፡ ምንም ማቅለሚያ አያስፈልግም።

• የሙቀት መጠንን አስቀምጥ፡ ቫፈርን በማራገፍ መፍትሄ ውስጥ ካስጠመቁ በኋላ።

• በፎቶ ተከላካይ ውፍረት/ካርቦናይዜሽን ዲግሪ ላይ በመመስረት ጊዜን ያስተካክሉ።