Fotorezistový odstraňovač tvrzený mírnou kyselinou

a) Možnost odstranění širokospektrálního fotorezistu

• Použitelné pro pozitivní i negativní fotorezisty‌: Prokazuje zvláštní odborné znalosti při manipulaci s odolnými zbytky po zpopelnění, vytvrzování a karbonizaci.

b) Mírně kyselá formulace

• Hodnota pH‌: Pohybuje se mezi 3-5, zabraňuje korozi kovových vrstev, jako je Al, Cu, Ti, a složených polovodičů, jako je GaAs.

c) Šetrné k životnímu prostředí a bezpečné

• Bez halogenů a bez fluoru‌: Vyhovuje environmentálním předpisům, jako je RoHS a REACH.

• Nízká těkavost a nízké VOC‌: Netoxický a nehořlavý, snižuje rizika na pracovišti a chrání zdraví obsluhy.

d) Efektivita procesu

• Použitelnost při širokých teplotách (25°C–90°C): Nízkoteplotní stabilní pro MEMS/pokročilé balení, odolná vysokým teplotám pro EUV.

• Efektivní penetrace‌: Vykazuje vynikající rozpustnost pro vysoce zesíťované fotorezisty (např. SU-8) a karbonizované negativní fotorezisty.

• Zjednodušený proces‌: Jediný produkt schopný kompatibility se dvěma fotorezisty, zkracuje dobu přepínání výrobní linky, zabraňuje křížové kontaminaci a prodlužuje životnost zařízení.

a) Čipy na bázi křemíku

Kompatibilní s Si/SiO₂/SiN, chrání propojovací vrstvy Cu/Al.

b) Zařízení GaAs/GaN‌

Jemné kyselé složení zabraňuje korozi Au/Ti elektrod.

c) Výkonové polovodiče‌

Účinně odstraňuje vysokoteplotní karbonizovaný fotorezist SiC a chrání Al vrstvy.

d) Pokročilé balení‌

Současně čistí zbytky TSV a pasivační vrstvy PI.

e) Senzory MEMS‌

Odstraňuje hluboké zbytky leptání křemíku bez korodování Au podložek.

f) Flexibilní elektronika

Kompatibilní s PI/PET substráty bez poškození nano-stříbrných drátů.

a) Použitelné metody čištění

• Doporučeno: Namáčení za horka

• Mezi další metody patří ultrazvuk, stříkání a kartáčování.

b) Teplota a čas

• Teplotní rozsah‌: 25°C – 90°C (ohřev urychluje čištění).

• Standardní čištění‌: 3 – 15 minut na nádrž (s použitím čistého roztoku).

• Tvrdohlavý zbytek‌: Lze prodloužit až na 30 minut.

c) Klíčové provozní pokyny

• Použijte čistý roztok‌: Není nutné ředění.

• Udržujte nastavenou teplotu‌: Po ponoření destiček do stripovacího roztoku.

• Upravte čas na základě tloušťky fotorezistu/stupně karbonizace‌.