| Dostupnosť: | |
|---|---|
| množstvo: | |
8299
8299 Mild Acid Hardened Photorezist Stripper je mierne kyslé a ekologické riešenie na odstraňovanie fotorezistu a je špeciálne navrhnuté na riešenie problémov so zvyškami negatívneho fotorezistu po popolom , vytvrdzovaní alebo dokonca karbonizácii . Jeho jedinečné zloženie, ktoré kombinuje organické kyseliny, vysokoúčinné inhibítory korózie a málo prchavé rozpúšťadlá, zaisťuje účinné odstránenie fotorezistu za miernych podmienok a zároveň bezpečne chráni rôzne typy materiálov a substrátov.
a) Možnosť odstránenia širokospektrálneho fotorezistu
Použiteľné pre pozitívne aj negatívne fotorezisty: Preukazuje mimoriadnu odbornosť pri manipulácii s nepoddajnými zvyškami po spopolnení, vytvrdzovaní a karbonizácii.
b) Mierne kyslé zloženie
Hodnota pH: Rozsah medzi 3-5, čím sa zabráni korózii kovových vrstiev, ako sú Al, Cu, Ti, a zložených polovodičov ako GaAs.
c) Šetrné k životnému prostrediu a bezpečné
Bez halogénov a fluóru: Vyhovuje environmentálnym predpisom, ako sú RoHS a REACH.
Nízka prchavosť a nízke VOC: Netoxické a nehorľavé, znižujúce riziká na pracovisku a chrániace zdravie operátora.
d) Efektívnosť procesu
Použiteľnosť pri širokých teplotách (25°C–90°C): Stabilný pri nízkych teplotách pre MEMS/pokročilé balenie, odolný voči vysokým teplotám pre EUV.
Efektívna penetrácia: Vyznačuje sa vynikajúcou rozpustnosťou pre vysoko zosieťované fotorezisty (napr. SU-8) a karbonizované negatívne fotorezisty.
Zjednodušený proces: Jediný produkt schopný kompatibility s dvojitým fotorezistom, ktorý skracuje čas prepínania výrobnej linky, zabraňuje krížovej kontaminácii a predlžuje životnosť zariadenia.
| Funkcia |
Tradičný striptér |
8299 |
| Bezpečnosť materiálu |
Môže korodovať kovy (Cu/Al) | Bezpečné pre všetky kľúčové materiály |
| Fotorezist Rang | Obmedzené na 1 typ (+/–) | Zvládne všetky typy + karbonizované |
| Ekologický | Často vysoké VOC/halogén | Bezhalogénový, nízky VOC |
| Procesné náklady | Je potrebných viacero produktov | Jedno riešenie pre všetkých |
| Kompatibilita zariadení | Môže znehodnotiť nádrže | Nekorozívne |
| Prevádzková teplota | 40 až 80 °C | 25 až 90 °C |
| Charakteristika | Jednotka | Údaje |
| Hodnota pH |
- | 3-5 |
| Špecifická gravitácia | - | 0,95-1 |
| Bod varu | °C | 190 |
a) Čipy na báze kremíka
Kompatibilný so Si/SiO₂/SiN, chráni prepojovacie vrstvy Cu/Al.
b) Zariadenia GaAs/GaN
Mierne kyslé zloženie zabraňuje korózii Au/Ti elektród.
c) Výkonové polovodiče
Účinne odstraňuje vysokoteplotný karbonizovaný fotorezist SiC a chráni Al vrstvy.
d) Pokročilé balenie
Súčasne čistí zvyšky TSV a pasivačné vrstvy PI.
e) Senzory MEMS
Odstraňuje hlboké zvyšky silikónového leptania bez korózie Au podložiek.
f) Flexibilná elektronika
Kompatibilné s PI/PET substrátmi bez poškodenia nano-strieborných drôtov.
a) Použiteľné metódy čistenia
Odporúčané: Namáčanie za horúca
Ďalšie metódy zahŕňajú ultrazvuk, striekanie a kefovanie.
b) Teplota a čas
Teplotný rozsah: 25°C – 90°C (ohrievanie urýchľuje čistenie).
Štandardné čistenie: 3 – 15 minút na nádrž (s použitím čistého roztoku).
Tvrdohlavý zvyšok: Môže sa predĺžiť až na 30 minút.
c) Kľúčové prevádzkové pokyny
Použite čistý roztok: Nevyžaduje sa žiadne riedenie.
Udržiavajte nastavenú teplotu: Po ponorení plátkov do stripovacieho roztoku.
Upravte čas na základe hrúbky fotorezistu/stupňa karbonizácie.
obsah je prázdny!