เครื่องปอกด้วยแสงที่แข็งตัวด้วยกรดอ่อน

ก) ความสามารถในการกำจัดโฟโตรีซิสต์ในวงกว้าง

• ใช้ได้กับทั้งผู้ต้านทานแสงทั้งเชิงบวกและเชิงลบ: แสดงให้เห็นถึงความเชี่ยวชาญเฉพาะในการจัดการสิ่งตกค้างที่ดื้อรั้นหลังจากการเถ้า การบ่ม และการทำให้เป็นคาร์บอน

b) สูตรกรดอ่อน

• ค่า pH‌: ช่วงระหว่าง 3-5 หลีกเลี่ยงการกัดกร่อนต่อชั้นโลหะ เช่น Al, Cu, Ti และสารกึ่งตัวนำผสม เช่น GaAs

ค) เป็นมิตรกับสิ่งแวดล้อมและปลอดภัย

• ปราศจากฮาโลเจนและปราศจากฟลูออรีน‌: สอดคล้องกับกฎระเบียบด้านสิ่งแวดล้อม เช่น RoHS และ REACH

• ความผันผวนต่ำและ VOC‌ ต่ำ: ปลอดสารพิษและไม่ติดไฟ ลดอันตรายในที่ทำงานและปกป้องสุขภาพของผู้ปฏิบัติงาน

ง) ประสิทธิภาพกระบวนการ

• การใช้งานที่อุณหภูมิกว้าง (25°C–90°C): อุณหภูมิต่ำคงที่สำหรับ MEMS/บรรจุภัณฑ์ขั้นสูง ทนต่ออุณหภูมิสูงสำหรับ EUV

• การแทรกซึมที่มีประสิทธิภาพ: แสดงความสามารถในการละลายที่ดีเยี่ยมสำหรับโฟโตรีซีสต์ที่มีการเชื่อมโยงข้ามสูง (เช่น SU-8) และโฟโตรีซีสต์เชิงลบแบบคาร์บอไนซ์

• กระบวนการที่ง่ายขึ้น: ผลิตภัณฑ์เดียวที่สามารถเข้ากันได้กับโฟโตรีซิสต์แบบคู่ ช่วยลดเวลาการเปลี่ยนสายการผลิต หลีกเลี่ยงการปนเปื้อนข้าม และยืดอายุการใช้งานของอุปกรณ์

ก) ชิปที่ใช้ซิลิคอน‌

เข้ากันได้กับ Si/SiO₂/SiN ปกป้องชั้นการเชื่อมต่อระหว่างกัน Cu/Al

b) อุปกรณ์ GaAs/GaN‌

สูตรกรดอ่อนป้องกันการกัดกร่อนของอิเล็กโทรด Au/Ti

ค) พาวเวอร์เซมิคอนดักเตอร์‌

กำจัดโฟโตรีซิสต์แบบคาร์บอไนซ์อุณหภูมิสูง SiC ได้อย่างมีประสิทธิภาพ ปกป้องชั้น Al

ง) บรรจุภัณฑ์ขั้นสูง‌

ทำความสะอาดสารตกค้าง TSV และชั้นฟิล์มทู่ PI ไปพร้อมๆ กัน

จ) เซ็นเซอร์ MEMS‌

ขจัดคราบกัดกร่อนซิลิคอนที่อยู่ลึกโดยไม่กัดกร่อนแผ่น Au

f) อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์แบบยืดหยุ่น‌

เข้ากันได้กับพื้นผิว PI/PET โดยไม่ทำลายสายไฟนาโนเงิน

ก) วิธีการทำความสะอาดที่ใช้บังคับ

• แนะนำ‌: แช่น้ำร้อน

• วิธีการอื่นๆ ได้แก่ อัลตราโซนิก การฉีดพ่น และการแปรงฟัน

ข) อุณหภูมิและเวลา

• ช่วงอุณหภูมิ: 25°C – 90°C (การให้ความร้อนช่วยเร่งการทำความสะอาด)

• การทำความสะอาดแบบมาตรฐาน‌: 3 – 15 นาทีต่อถัง (ใช้น้ำยาแบบเรียบร้อย)

• สารตกค้างที่ดื้อรั้น: สามารถขยายได้สูงสุด 30 นาที

c) คู่มือการใช้งานที่สำคัญ

• ใช้ Neat Solution‌: ไม่จำเป็นต้องเจือจาง

• รักษาอุณหภูมิที่ตั้งไว้‌: หลังจากแช่เวเฟอร์ในสารละลายลอกแล้ว

• ปรับเวลาตามความหนาของไวแสง/ระดับคาร์บอน