Stripper fotoresist indurito con acido delicato

a) Capacità di rimozione del fotoresist ad ampio spettro

• Applicabile ai fotoresist‌ sia positivi che negativi: dimostra particolare esperienza nella gestione dei residui ostinati dopo l'incenerimento, l'indurimento e la carbonizzazione.

b) Formula leggermente acida

• Valore pH‌: varia tra 3 e 5, evitando la corrosione di strati metallici come Al, Cu, Ti e semiconduttori composti come GaAs.

c) Rispettoso dell'ambiente e sicuro

• Senza alogeni e senza fluoro‌: conforme alle normative ambientali come RoHS e REACH.

• Bassa volatilità e basso VOC‌: non tossico e non infiammabile, riduce i rischi sul posto di lavoro e salvaguarda la salute dell'operatore.

d) Efficienza dei processi

• Applicabilità ad ampia temperatura (25°C–90°C): stabile alle basse temperature per MEMS/imballaggi avanzati, resistente alle alte temperature per EUV.

• Penetrazione efficiente‌: mostra un'eccellente solubilità per fotoresist altamente reticolati (ad esempio SU-8) e fotoresist negativi carbonizzati.

• Processo semplificato‌: un unico prodotto in grado di garantire la doppia compatibilità del fotoresist, riducendo i tempi di commutazione della linea di produzione, evitando la contaminazione incrociata e prolungando la durata delle apparecchiature.

a) Chip‌ a base di silicio

Compatibile con Si/SiO₂/SiN, proteggendo gli strati di interconnessione Cu/Al.

b) Dispositivi GaAs/GaN‌

La formula leggermente acida previene la corrosione degli elettrodi Au/Ti.

c) Semiconduttori di potenza‌

Rimuove efficacemente il fotoresist carbonizzato ad alta temperatura SiC, proteggendo gli strati di alluminio.

d) Imballaggio avanzato‌

Pulisce contemporaneamente i residui di TSV e gli strati di passivazione PI.

e) Sensori MEMS‌

Rimuove i residui di incisione profonda del silicone senza corrodere i cuscinetti Au.

f) Elettronica flessibile‌

Compatibile con substrati PI/PET senza danneggiare i fili in nano-argento.

a) Metodi di pulizia applicabili

• Consigliato‌: ammollo a caldo

• Altri metodi includono ultrasuoni, spruzzatura e spazzolatura.

b) Temperatura e tempo

• Intervallo di temperatura‌: 25°C – 90°C (il riscaldamento accelera la pulizia).

• Pulizia standard‌: 3 – 15 minuti per serbatoio (utilizzando una soluzione pura).

• Residuo ostinato‌: può essere prolungato fino a 30 minuti.

c) Istruzioni operative principali

• Utilizzare Neat Solution‌: non è richiesta alcuna diluizione.

• Mantenere la temperatura impostata‌: dopo aver immerso i wafer nella soluzione di stripping.

• Regola il tempo in base allo spessore del fotoresist/al grado di carbonizzazione‌.