Chất tẩy quang cứng bằng axit nhẹ

a) Khả năng loại bỏ chất quang phổ rộng

• Áp dụng cho cả chất quang dẫn dương và âm: Thể hiện chuyên môn đặc biệt trong việc xử lý các chất cặn cứng đầu sau khi tro hóa, đóng rắn và cacbon hóa.

b) Công thức axit nhẹ

• Giá trị pH‌: Nằm trong khoảng 3-5, tránh ăn mòn các lớp kim loại như Al, Cu, Ti và các chất bán dẫn hỗn hợp như GaAs.

c) Thân thiện với môi trường và an toàn

• Không chứa halogen và không chứa Flo‌: Tuân thủ các quy định về môi trường như RoHS và REACH.

• Độ biến động thấp và VOC‌ thấp: Không độc hại và không bắt lửa, giảm nguy cơ tại nơi làm việc và bảo vệ sức khỏe của người vận hành.

d) Hiệu quả của quy trình

• Khả năng ứng dụng ở nhiệt độ rộng (25°C–90°C): Ổn định ở nhiệt độ thấp cho MEMS/đóng gói tiên tiến, chịu được nhiệt độ cao cho EUV.

• Thâm nhập hiệu quả‌: Thể hiện khả năng hòa tan tuyệt vời cho các chất quang dẫn có liên kết chéo cao (ví dụ: SU-8) và các chất quang dẫn âm bị cacbon hóa.

• Quy trình đơn giản hóa‌: Một sản phẩm duy nhất có khả năng tương thích với chất quang dẫn kép, giảm thời gian chuyển đổi dây chuyền sản xuất, tránh lây nhiễm chéo và kéo dài tuổi thọ của thiết bị.

a) Chip dựa trên silicon‌

Tương thích với Si/SiO₂/SiN, bảo vệ các lớp liên kết Cu/Al.

b) Thiết bị GaAs/GaN‌

Công thức axit nhẹ ngăn chặn sự ăn mòn của điện cực Au/Ti.

c) Chất bán dẫn điện‌

Loại bỏ hiệu quả chất quang dẫn cacbon hóa nhiệt độ cao SiC, bảo vệ các lớp Al.

d) Bao bì nâng cao‌

Đồng thời làm sạch cặn TSV và lớp thụ động PI.

e) Cảm biến MEMS‌

Loại bỏ cặn silicon khắc sâu mà không ăn mòn miếng Au.

f) Điện tử linh hoạt‌

Tương thích với chất nền PI/PET mà không làm hỏng dây nano bạc.

a) Các phương pháp làm sạch có thể áp dụng

• Khuyến nghị‌: Ngâm nóng

• Các phương pháp khác bao gồm siêu âm, phun và đánh răng.

b) Nhiệt độ và thời gian

• Phạm vi nhiệt độ‌: 25°C – 90°C (gia nhiệt giúp tăng tốc độ làm sạch).

• Làm sạch tiêu chuẩn‌: 3 - 15 phút mỗi bể (sử dụng dung dịch gọn gàng).

• Dư lượng cứng đầu‌: Có thể kéo dài tới 30 phút.

c) Hướng dẫn vận hành chính

• Sử dụng Neat Solution‌: Không cần pha loãng.

• Duy trì nhiệt độ cài đặt‌: Sau khi ngâm tấm wafer vào dung dịch tước.

• Điều chỉnh thời gian dựa trên độ dày quang điện/Mức độ cacbon hóa‌.