استریپر مقاوم در برابر نور مقاوم با اسید خفیف

الف) قابلیت حذف نور مقاوم در برابر نور گسترده

• قابل استفاده برای فتورزیست های مثبت و منفی: تخصص خاصی را در رسیدگی به بقایای سرسخت پس از خاکستر شدن، پخت و کربونیزاسیون نشان می دهد.

ب) فرمول اسیدی ملایم

• مقدار pH: بین 3 تا 5 است و از خوردگی به لایه های فلزی مانند Al، Cu، Ti و نیمه هادی های ترکیبی مانند GaAs جلوگیری می کند.

ج) دوستدار محیط زیست و ایمن است

• بدون هالوژن و بدون فلوئور: مطابق با مقررات زیست محیطی مانند RoHS و REACH است.

• فراریت کم و VOC کم: غیر سمی و غیر قابل اشتعال، کاهش خطرات محل کار و محافظت از سلامت اپراتور.

د) کارایی فرآیند

• قابلیت کاربرد در دمای گسترده (25 درجه سانتی گراد تا 90 درجه سانتی گراد): پایدار در دمای پایین برای بسته بندی MEMS/پیشرفته، مقاوم در برابر دمای بالا برای EUV.

• نفوذ کارآمد‌: حلالیت عالی را برای مقاوم‌کننده‌های نوری بسیار متقاطع (مانند SU-8) و مقاوم‌کننده‌های نوری کربنی شده منفی نشان می‌دهد.

• فرآیند ساده‌شده: یک محصول واحد که قابلیت سازگاری با مقاومت نوری دوگانه، کاهش زمان تعویض خط تولید، جلوگیری از آلودگی متقابل و افزایش طول عمر تجهیزات را دارد.

الف) تراشه های مبتنی بر سیلیکون

سازگار با Si/SiO2/SiN، از لایه های اتصال Cu/Al محافظت می کند.

ب) دستگاه‌های GaAs/GaN

فرمول اسیدی ملایم از خوردگی الکترودهای Au/Ti جلوگیری می کند.

ج) نیمه هادی های قدرت

مقاومت نور کربنیزه شده با دمای بالا SiC را به طور موثر حذف می کند و از لایه های Al محافظت می کند.

د) بسته بندی پیشرفته

به طور همزمان باقیمانده TSV و لایه های غیرفعال سازی PI را تمیز می کند.

ه) حسگرهای MEMS

بقایای اچ سیلیکونی عمیق را بدون خوردگی پدهای طلا حذف می کند.

و) الکترونیک انعطاف پذیر

سازگار با بسترهای PI/PET بدون آسیب رساندن به سیم های نانو نقره.

الف) روش های تمیز کردن قابل اجرا

• توصیه شده: خیساندن گرم

• روش های دیگر عبارتند از اولتراسونیک، اسپری و مسواک زدن.

ب) دما و زمان

• محدوده دما: 25 تا 90 درجه سانتی گراد (گرمایش تمیز کردن را تسریع می کند).

• تمیز کردن استاندارد: 3 تا 15 دقیقه در هر مخزن (با استفاده از محلول تمیز).

• باقیمانده سرسخت: تا 30 دقیقه قابل افزایش است.

ج) دستورالعمل های عملیاتی کلیدی

• از محلول تمیز استفاده کنید: بدون نیاز به رقیق کردن.

• دمای تنظیم شده را حفظ کنید‌: پس از غوطه‌ور شدن ویفرها در محلول جداکننده.

• تنظیم زمان بر اساس ضخامت مقاوم نور/درجه کربنیزاسیون.