Décapant de photorésist durci à l'acide doux

a) Capacité d'élimination de la résine photosensible à large spectre

• Applicable aux photorésists positifs et négatifs‌ : Démontre une expertise particulière dans la manipulation des résidus tenaces après la cendre, le durcissement et la carbonisation.

b) Formule acide douce

• Valeur du pH‌ : varie entre 3 et 5, évitant la corrosion des couches métalliques telles que l'Al, Cu, Ti et les semi-conducteurs composés comme le GaAs.

c) Respectueux de l'environnement et sûr

• Sans halogène et sans fluor‌ : conforme aux réglementations environnementales telles que RoHS et REACH.

• Faible volatilité et faible teneur en COV‌ : non toxique et ininflammable, réduisant les risques sur le lieu de travail et protégeant la santé de l'opérateur.

d) Efficacité du processus

• Applicabilité à large température (25 °C à 90 °C) : stable à basse température pour les MEMS/emballages avancés, résistant aux hautes températures pour EUV.

• Pénétration efficace‌ : présente une excellente solubilité pour les photorésists hautement réticulés (par exemple, SU-8) et les photorésists négatifs carbonisés.

• Processus simplifié‌ : un produit unique capable d'une double compatibilité photorésistante, réduisant le temps de commutation de la chaîne de production, évitant la contamination croisée et prolongeant la durée de vie de l'équipement.

a) Puces à base de silicium‌

Compatible avec Si/SiO₂/SiN, protégeant les couches d'interconnexion Cu/Al.

b) Appareils GaAs/GaN‌

La formule acide douce empêche la corrosion des électrodes Au/Ti.

c) Semi-conducteurs de puissance‌

Élimine efficacement la résine photosensible carbonisée à haute température SiC, protégeant ainsi les couches d'Al.

d) Emballage avancé‌

Nettoie simultanément les résidus TSV et les couches de passivation PI.

e) Capteurs MEMS‌

Élimine les résidus de gravure de silicium profonds sans corroder les tampons Au.

f) Électronique flexible‌

Compatible avec les substrats PI/PET sans endommager les fils nano-argent.

a) Méthodes de nettoyage applicables

• Recommandé‌ : trempage à chaud

• D'autres méthodes incluent les ultrasons, la pulvérisation et le brossage.

b) Température et durée

• Plage de température‌ : 25°C – 90°C (le chauffage accélère le nettoyage).

• Nettoyage standard‌ : 3 à 15 minutes par réservoir (en utilisant une solution pure).

• Résidus tenaces‌ : Peut être prolongé jusqu’à 30 minutes.

c) Instructions d'utilisation clés

• Utiliser une solution pure‌ : Aucune dilution requise.

• Maintenir la température réglée‌ : après avoir immergé les tranches dans la solution de décapage.

• Ajustez le temps en fonction de l'épaisseur de la photorésiste/du degré de carbonisation‌.