약산성 경화 포토레지스트 스트리퍼

a) 광범위한 스펙트럼의 포토레지스트 제거 능력

• 포지티브 및 네거티브 포토레지스트 모두에 적용 가능‌: 회화, 경화 및 탄화 후 잘 지워지지 않는 잔여물을 처리하는 데 특별한 전문성을 보여줍니다.

b) 약산성 포뮬러

• pH 값‌: 3~5 사이의 범위로 Al, Cu, Ti와 같은 금속층 및 GaAs와 같은 화합물 반도체에 대한 부식을 방지합니다.

c) 환경 친화적이고 안전함

• 할로겐 프리 및 불소 프리‌: RoHS 및 REACH와 같은 환경 규정을 준수합니다.

• 낮은 휘발성 및 낮은 VOC‌: 무독성 및 불연성으로 작업장 위험을 줄이고 작업자 건강을 보호합니다.

d) 프로세스 효율성

• 넓은 온도 적용 범위(25°C~90°C): MEMS/고급 패키징을 위한 저온 안정성, EUV를 위한 고온 내성.

• 효율적인 침투‌: 고도로 가교된 포토레지스트(예: SU-8) 및 탄화된 네거티브 포토레지스트에 대해 탁월한 용해도를 나타냅니다.

• 단순화된 공정‌: 듀얼 포토레지스트 호환성이 가능한 단일 제품으로 생산 라인 전환 시간을 단축하고 교차 오염을 방지하며 장비 수명을 연장합니다.

a) 실리콘 기반 칩‌

Si/SiO2/SiN과 호환되어 Cu/Al 상호 연결층을 보호합니다.

b) GaAs/GaN 장치‌

약산성 성분으로 Au/Ti 전극의 부식을 방지합니다.

c) 전력 반도체‌

SiC 고온 탄화 포토레지스트를 효율적으로 제거하여 Al층을 보호합니다.

d) 고급 패키징‌

TSV 잔류물과 PI 보호층을 동시에 세척합니다.

e) MEMS 센서‌

Au 패드를 부식시키지 않고 깊은 실리콘 에칭 잔여물을 제거합니다.

f) 유연한 전자 장치‌

나노은 와이어를 손상시키지 않고 PI/PET 기판과 호환됩니다.

a) 적용 가능한 청소 방법

• 권장사항 : 뜨거운 몸에 담그기

• 다른 방법으로는 초음파, 스프레이, 브러싱 등이 있습니다.

b) 온도와 시간

• 온도 범위‌: 25°C – 90°C(가열하면 청소가 가속화됩니다).

• 표준 세척‌: 탱크당 3 – 15분(순수 용액 사용).

• 완고한 잔류물‌: 최대 30분까지 연장 가능합니다.

c) 주요 작동 지침

• 깔끔한 솔루션 사용‌: 희석이 필요하지 않습니다.

• 설정 온도 유지‌: 웨이퍼를 스트리핑 용액에 담근 후.

• 포토레지스트 두께/탄화 정도에 따라 시간을 조정합니다.