हल्का एसिड कठोर फोटोरेसिस्ट स्ट्रिपर

ए) ब्रॉड-स्पेक्ट्रम फोटोरेसिस्ट हटाने की क्षमता

• सकारात्मक और नकारात्मक दोनों फोटोरेसिस्टों के लिए लागू: राख, इलाज और कार्बोनाइजेशन के बाद जिद्दी अवशेषों को संभालने में विशेष विशेषज्ञता प्रदर्शित करता है।

बी) हल्का एसिड फॉर्मूला

• पीएच मान: 3-5 के बीच, अल, Cu, Ti जैसी धातु परतों और GaAs जैसे यौगिक अर्धचालकों को क्षरण से बचाता है।

ग) पर्यावरण के अनुकूल और सुरक्षित

• हैलोजन-मुक्त और फ्लोरीन-मुक्त: RoHS और REACH जैसे पर्यावरणीय नियमों का अनुपालन करता है।

• कम अस्थिरता और कम वीओसी: गैर-विषाक्त और गैर-ज्वलनशील, कार्यस्थल के खतरों को कम करता है और ऑपरेटर के स्वास्थ्य की रक्षा करता है।

घ) प्रक्रिया दक्षता

• व्यापक तापमान प्रयोज्यता (25 डिग्री सेल्सियस-90 डिग्री सेल्सियस): एमईएमएस/उन्नत पैकेजिंग के लिए कम तापमान स्थिर, ईयूवी के लिए उच्च तापमान प्रतिरोधी।

• कुशल प्रवेश: अत्यधिक क्रॉसलिंक्ड फोटोरेसिस्ट (उदाहरण के लिए, एसयू -8) और कार्बोनाइज्ड नकारात्मक फोटोरेसिस्ट के लिए उत्कृष्ट घुलनशीलता प्रदर्शित करता है।

• सरलीकृत प्रक्रिया: एक एकल उत्पाद जो दोहरी फोटोरेसिस्ट संगतता में सक्षम है, उत्पादन लाइन स्विचिंग समय को कम करता है, क्रॉस-संदूषण से बचाता है, और उपकरण जीवन काल का विस्तार करता है।

ए) सिलिकॉन-आधारित चिप्स

Si/SiO₂/SiN के साथ संगत, Cu/Al इंटरकनेक्शन परतों की सुरक्षा।

बी) GaAs/GaN डिवाइस

हल्का एसिड फॉर्मूला Au/Ti इलेक्ट्रोड के क्षरण को रोकता है।

ग) पावर सेमीकंडक्टर

एएल परतों की रक्षा करते हुए, SiC उच्च तापमान वाले कार्बोनाइज्ड फोटोरेसिस्ट को कुशलतापूर्वक हटा देता है।

घ) उन्नत पैकेजिंग

साथ ही टीएसवी अवशेष और पीआई निष्क्रियता परतों को साफ करता है।

ई) एमईएमएस सेंसर

एयू पैड को खराब किए बिना गहरे सिलिकॉन ईच अवशेषों को हटा देता है।

च) लचीले इलेक्ट्रॉनिक्स

नैनो-सिल्वर तारों को नुकसान पहुंचाए बिना पीआई/पीईटी सब्सट्रेट के साथ संगत।

क) लागू सफाई के तरीके

• अनुशंसितः गर्म भिगोना

• अन्य तरीकों में अल्ट्रासोनिक, छिड़काव और ब्रशिंग शामिल हैं।

बी) तापमान और समय

• तापमान रेंज‌: 25°C - 90°C (हीटिंग से सफाई में तेजी आती है)।

• मानक सफाई: प्रति टैंक 3 - 15 मिनट (स्वच्छ समाधान का उपयोग करके)।

• जिद्दी अवशेष: 30 मिनट तक बढ़ाया जा सकता है।

ग) मुख्य परिचालन निर्देश

• साफ समाधान का उपयोग करें: कोई पतलापन आवश्यक नहीं है।

• सेट तापमान बनाए रखें: स्ट्रिपिंग समाधान में वेफर्स को डुबोने के बाद।

• फोटोरेसिस्ट मोटाई/कार्बोनाइजेशन डिग्री के आधार पर समय समायोजित करें।