| Stok Durumu: | |
|---|---|
| Adet: | |
8299
8299 Hafif Asitle Sertleştirilmiş Fotodirenç Striptizci, hafif asitli ve çevre dostu bir fotodirenç sıyırma çözümüdür ve sonrasında negatif fotorezistin kalıntı sorunlarını gidermek için özel olarak tasarlanmıştır kül , kürleme ve hatta karbonizasyon . Organik asitleri, yüksek verimli korozyon önleyicileri ve düşük uçuculuktaki solventleri birleştiren benzersiz formülasyonu, çeşitli malzeme ve alt tabaka türlerini güvenli bir şekilde korurken, hafif koşullar altında etkili fotorezistin çıkarılmasını sağlar.
a) Geniş Spektrumlu fotorezist Kaldırma Yeteneği
Hem Pozitif hem Negatif Fotorezistlere Uygulanabilir: Külleme, kürleme ve karbonizasyon sonrasında inatçı kalıntıların işlenmesinde özel uzmanlık gösterir.
b) Hafif Asit Formülü
pH Değeri: 3-5 aralığında olup Al, Cu, Ti gibi metal katmanların ve GaAs gibi bileşik yarı iletkenlerin korozyonunu önler.
c) Çevre Dostu ve Güvenli
Halojensiz ve Florsuz: RoHS ve REACH gibi çevre düzenlemelerine uygundur.
Düşük Uçuculuk ve Düşük VOC: Toksik değildir ve yanıcı değildir, işyeri tehlikelerini azaltır ve operatör sağlığını korur.
d) Süreç Verimliliği
Geniş Sıcaklıkta Uygulanabilirlik (25°C–90°C): MEMS/gelişmiş paketleme için düşük sıcaklığa dayanıklı, EUV için yüksek sıcaklığa dayanıklı.
Verimli Penetrasyon: Yüksek düzeyde çapraz bağlı fotorezistler (örn. SU-8) ve karbonize negatif fotorezistler için mükemmel çözünürlük sergiler.
Basitleştirilmiş Süreç: Çift fotodirenç uyumluluğuna sahip, üretim hattı geçiş süresini azaltan, çapraz kontaminasyonu önleyen ve ekipmanın ömrünü uzatan tek bir ürün.
| Özellik |
Geleneksel Striptizci |
8299 |
| Malzeme Güvenliği |
Metalleri aşındırabilir (Cu/Al) | Tüm önemli malzemeler için güvenli |
| Fotorezist Rang | 1 türle sınırlıdır (+/–) | Her türlü + karbonize edilmiş malzemeyi işler |
| Çevre Dostu | Genellikle yüksek VOC/halojen | Halojensiz, düşük VOC |
| Süreç Maliyeti | Birden fazla ürüne ihtiyaç var | Herkes için tek çözüm |
| Ekipman Uyumluluğu | Tankları bozabilir | Aşındırıcı olmayan |
| Çalışma Sıcaklığı | 40–80°C | 25–90°C |
| Özellikler | Birim | Veri |
| pH Değeri |
- | 3-5 |
| Özgül Ağırlık | - | 0.95-1 |
| Kaynama noktası | °C | 190 |
a) Silikon Bazlı Cipsler
Cu/Al ara bağlantı katmanlarını koruyan Si/SiO₂/SiN ile uyumludur.
b) GaAs/GaN Cihazları
Hafif asit formülü Au/Ti elektrotların korozyonunu önler.
c) Güç Yarı İletkenleri
Al katmanlarını koruyarak SiC yüksek sıcaklıkta karbonize fotorezisti etkili bir şekilde çıkarır.
d) Gelişmiş Paketleme
TSV kalıntısını ve PI pasifleştirme katmanlarını aynı anda temizler.
e) MEMS Sensörleri
Au pedleri aşındırmadan derin silikon aşındırma kalıntılarını giderir.
f) Esnek Elektronikler
Nano gümüş kablolara zarar vermeden PI/PET yüzeylerle uyumludur.
a) Uygulanabilir Temizleme Yöntemleri
Önerilen: Sıcak suda bekletme
Diğer yöntemler arasında ultrasonik, püskürtme ve fırçalama yer alır.
b) Sıcaklık ve Zaman
Sıcaklık Aralığı: 25°C – 90°C (ısıtma temizliği hızlandırır).
Standart Temizlik: Tank başına 3 – 15 dakika (saf solüsyon kullanılarak).
İnatçı Kalıntı: 30 dakikaya kadar uzatılabilir.
c) Temel Kullanım Talimatları
Temiz Solüsyon Kullanın: Seyreltme gerekmez.
Ayarlanan Sıcaklığı Koruyun: Gofretleri sıyırma çözeltisine batırdıktan sonra.
Fotorezistin Kalınlığına/Karbonizasyon Derecesine göre Süreyi Ayarlayın.
içerik boş!