Nxitëse fotorezistente e lehtë e ngurtësuar me acid

a) Aftësia e heqjes së fotorezistit me spektër të gjerë

• E zbatueshme si për fotorezistet pozitive ashtu edhe për ato negative‌: Demonstron ekspertizë të veçantë në trajtimin e mbetjeve kokëfortë pas hirit, tharjes dhe karbonizimit.

b) Formula e butë e acidit

• Vlera e pH-së: varion midis 3-5, duke shmangur korrozionin në shtresat metalike si Al, Cu, Ti dhe gjysmëpërçuesit e përbërë si GaAs.

c) Miqësore dhe e sigurtë për mjedisin

• Pa halogjen dhe pa fluor‌: Përputhet me rregulloret mjedisore si RoHS dhe REACH.

• Paqëndrueshmëri e ulët dhe VOC i ulët: Jo toksike dhe jo e ndezshme, duke reduktuar rreziqet në vendin e punës dhe duke mbrojtur shëndetin e operatorit.

d) Efikasiteti i procesit

• Zbatueshmëria në temperaturë të gjerë (25°C–90°C): E qëndrueshme në temperaturë të ulët për paketim MEMS/të avancuar, rezistente ndaj temperaturave të larta për EUV.

• Penetrimi efikas‌: Shfaq tretshmëri të shkëlqyeshme për fotorezistë të ndërlidhur (p.sh. SU-8) dhe fotorezistë negativë të karbonizuar.

• Procesi i thjeshtuar‌: Një produkt i vetëm i aftë për pajtueshmëri me fotorezistencë të dyfishtë, duke reduktuar kohën e ndërrimit të linjës së prodhimit, duke shmangur ndotjen e kryqëzuar dhe duke zgjatur jetëgjatësinë e pajisjeve.

a) Patate të skuqura me bazë silikoni

E përputhshme me Si/SiO2/SiN, duke mbrojtur shtresat e ndërlidhjes Cu/Al.

b) Pajisjet GaAs/GaN

Formula e butë e acidit parandalon korrozionin e elektrodave Au/Ti.

c) Gjysmëpërçuesit e fuqisë

Heq në mënyrë efikase fotorezistin e karbonizuar me temperaturë të lartë SiC, duke mbrojtur shtresat Al.

d) Paketim i avancuar

Njëkohësisht pastron mbetjet TSV dhe shtresat e pasivimit PI.

e) Sensorët MEMS

Heq mbetjet e thella të gdhendjes së silikonit pa gërryer jastëkët Au.

f) Elektronikë fleksibël

E përputhshme me nënshtresat PI/PET pa dëmtuar telat nano-argjendi.

a) Metodat e aplikueshme të pastrimit

• Rekomandohet: Njomje e nxehtë

• Metoda të tjera përfshijnë tejzanor, spërkatje dhe furçë.

b) Temperatura dhe koha

• Gama e temperaturës‌: 25°C – 90°C (ngrohja përshpejton pastrimin).

• Pastrim standard‌: 3 – 15 minuta për rezervuar (duke përdorur zgjidhje të pastër).

• Mbetje kokëfortë: Mund të zgjatet deri në 30 minuta.

c) Udhëzimet kryesore të funksionimit

• Përdorni Solucionin e rregullt: Nuk kërkohet hollim.

• Ruajtja e temperaturës së caktuar: Pasi të keni zhytur vaferat në tretësirën e zhveshjes.

• Rregulloni kohën bazuar në trashësinë e fotorezistit/shkallën e karbonizimit.