Stripper Fotoresist Pengerasan Asam Ringan

a) Kemampuan Penghapusan photoresist Spektrum Luas

• Berlaku untuk Fotoresist Positif dan Negatif‌: Menunjukkan keahlian khusus dalam menangani residu membandel setelah pengabuan, pengawetan, dan karbonisasi.

b) Formula Asam Ringan

• Nilai pH‌: Berkisar antara 3-5, menghindari korosi pada lapisan logam seperti Al, Cu, Ti, dan senyawa semikonduktor seperti GaAs.

c) Ramah Lingkungan dan Aman

• Bebas Halogen dan Bebas Fluor‌: Mematuhi peraturan lingkungan seperti RoHS dan REACH.

• Volatilitas Rendah dan VOC‌ Rendah: Tidak beracun dan tidak mudah terbakar, mengurangi bahaya di tempat kerja dan menjaga kesehatan operator.

d) Efisiensi Proses

• Penerapan pada suhu lebar (25°C–90°C): Stabil pada suhu rendah untuk MEMS/kemasan tingkat lanjut, tahan suhu tinggi untuk EUV.

• Penetrasi Efisien‌: Menunjukkan kelarutan yang sangat baik untuk fotoresist yang memiliki ikatan silang tinggi (misalnya SU-8) dan fotoresist negatif berkarbonisasi.

• Proses yang Disederhanakan‌: Satu produk yang mampu memiliki kompatibilitas fotoresis ganda, mengurangi waktu peralihan lini produksi, menghindari kontaminasi silang, dan memperpanjang masa pakai peralatan.

a) Keripik Berbasis Silikon‌

Kompatibel dengan Si/SiO₂/SiN, melindungi lapisan interkoneksi Cu/Al.

b) Perangkat GaAs/GaN‌

Formula asam ringan mencegah korosi elektroda Au/Ti.

c) Semikonduktor Daya‌

Secara efisien menghilangkan fotoresist berkarbonisasi suhu tinggi SiC, melindungi lapisan Al.

d) Pengemasan Lanjutan‌

Secara bersamaan membersihkan residu TSV dan lapisan pasivasi PI.

e) Sensor MEMS‌

Menghilangkan residu etsa silikon dalam tanpa menimbulkan korosi pada bantalan Au.

f) Elektronik Fleksibel‌

Kompatibel dengan substrat PI/PET tanpa merusak kabel nano-perak.

a) Metode Pembersihan yang Berlaku

• Direkomendasikan‌: Perendaman panas

• Metode lain termasuk ultrasonik, penyemprotan, dan penyikatan.

b) Suhu dan Waktu

• Kisaran Suhu‌: 25°C – 90°C (pemanasan mempercepat pembersihan).

• Pembersihan Standar‌: 3 – 15 menit per tangki (menggunakan larutan rapi).

• Residu‌ yang Membandel: Dapat diperpanjang hingga 30 menit.

c) Petunjuk Pengoperasian Utama

• Gunakan Solusi Rapi‌: Tidak perlu pengenceran.

• Pertahankan Suhu yang Disetel‌: Setelah merendam wafer dalam larutan pengupasan.

• Sesuaikan Waktu Berdasarkan Ketebalan photoresist/Tingkat Karbonisasi‌.