Decapant fotorezistent întărit cu acid ușor

a) Capacitatea de îndepărtare a fotorezistului cu spectru larg

• Aplicabil atât pentru fotorezistele pozitive, cât și pentru cele negative‌: Demonstrează o expertiză specială în manipularea reziduurilor încăpățânate după cenușare, întărire și carbonizare.

b) Formula acidă blândă

• Valoarea pH‌: variază între 3-5, evitând coroziunea straturilor metalice precum Al, Cu, Ti și semiconductori compuși precum GaAs.

c) Ecologic și sigur

• Fără halogen și fluor‌: respectă reglementările de mediu, cum ar fi RoHS și REACH.

• Volatilitate scăzută și VOC‌ scăzut: netoxic și neinflamabil, reducând pericolele la locul de muncă și protejând sănătatea operatorului.

d) Eficiența procesului

• Aplicabilitate la temperatură largă (25°C–90°C): Stabil la temperaturi scăzute pentru MEMS/ambalaj avansat, rezistent la temperaturi înalte pentru EUV.

• Penetrare eficientă‌: prezintă o solubilitate excelentă pentru fotorezistele foarte reticulate (de exemplu, SU-8) și fotorezistele negative carbonizate.

• Proces simplificat‌: Un singur produs capabil de compatibilitate dublă cu fotorezist, reducând timpul de comutare a liniei de producție, evitând contaminarea încrucișată și prelungind durata de viață a echipamentului.

a) Chips-uri pe bază de siliciu‌

Compatibil cu Si/SiO₂/SiN, protejând straturile de interconectare Cu/Al.

b) Dispozitive GaAs/GaN‌

Formula acidă blândă previne coroziunea electrozilor Au/Ti.

c) Semiconductori de putere‌

Îndepărtează eficient fotorezistul carbonizat SiC la temperatură înaltă, protejând straturile de Al.

d) Ambalare avansată‌

Curăță simultan reziduurile de TSV și straturile de pasivare PI.

e) Senzori MEMS‌

Îndepărtează reziduurile de gravare adâncă de siliciu fără a coroda tampoanele Au.

f) Electronice flexibile‌

Compatibil cu substraturi PI/PET fără a deteriora firele nano-argint.

a) Metode de curățare aplicabile

• Recomandat‌: înmuiere la cald

• Alte metode includ ultrasunete, pulverizare și periaj.

b) Temperatura și Timpul

• Interval de temperatură‌: 25°C – 90°C (încălzirea accelerează curățarea).

• Curățare standard‌: 3 – 15 minute per rezervor (folosind soluție curată).

• Reziduuri persistente‌: Poate fi extins până la 30 de minute.

c) Instrucțiuni cheie de operare

• Utilizați soluție curată‌: nu este necesară diluarea.

• Menține temperatura setată‌: După scufundarea plachetelor în soluția de stripare.

• Ajustați timpul pe baza grosimii fotorezistentei/gradului de carbonizare‌.