Utwardzany łagodnym kwasem środek do usuwania fotorezystu

a) Możliwość usuwania fotorezystu o szerokim spektrum

• Dotyczy zarówno fotomasek pozytywowych, jak i negatywowych: Wykazuje szczególną wiedzę specjalistyczną w zakresie postępowania z uporczywymi pozostałościami po spopieleniu, utwardzaniu i karbonizacji.

b) Formuła łagodnego kwasu

• Wartość pH‌: waha się od 3 do 5, co pozwala uniknąć korozji warstw metali, takich jak Al, Cu, Ti i złożonych półprzewodników, takich jak GaAs.

c) Przyjazny dla środowiska i bezpieczny

• Bezhalogenowy i bez fluoru‌: Zgodny z przepisami środowiskowymi, takimi jak RoHS i REACH.

• Niska lotność i niska zawartość LZO‌: Nietoksyczny i niepalny, zmniejszający ryzyko w miejscu pracy i chroniący zdrowie operatora.

d) Wydajność procesu

• Szerokie zastosowanie w temperaturach (25°C–90°C): Odporne na niskie temperatury dla opakowań MEMS/zaawansowanych, odporne na wysokie temperatury dla EUV.

• Skuteczna penetracja: Wykazuje doskonałą rozpuszczalność silnie usieciowanych fotomasek (np. SU-8) i zwęglonych fotomasek negatywowych.

• Uproszczony proces: pojedynczy produkt, który jest kompatybilny z podwójną fotomaską, skracając czas przełączania linii produkcyjnej, unikając zanieczyszczenia krzyżowego i wydłużając żywotność sprzętu.

a) Chipy na bazie krzemu

Kompatybilny z Si/SiO₂/SiN, chroniący warstwy łączące Cu/Al.

b) Urządzenia GaAs/GaN‌

Łagodna formuła kwasowa zapobiega korozji elektrod Au/Ti.

c) Półprzewodniki mocy

Skutecznie usuwa fotomaskę zwęgloną w wysokiej temperaturze SiC, chroniąc warstwy Al.

d) Zaawansowane opakowanie‌

Jednocześnie czyści pozostałości TSV i warstwy pasywacyjne PI.

e) Czujniki MEMS

Usuwa głębokie pozostałości po trawieniu silikonem, nie powodując korozji podkładek Au.

f) Elastyczna elektronika

Kompatybilny z podłożami PI/PET, nie uszkadza drutów nanosrebrowych.

a) Obowiązujące metody czyszczenia

• Zalecane‌: Moczenie na gorąco

• Inne metody obejmują ultradźwięki, natryskiwanie i szczotkowanie.

b) Temperatura i czas

• Zakres temperatur‌: 25°C – 90°C (ogrzewanie przyspiesza czyszczenie).

• Czyszczenie standardowe‌: 3–15 minut na zbiornik (przy użyciu czystego roztworu).

• Uporczywe pozostałości‌: Można wydłużyć do 30 minut.

c) Kluczowe instrukcje obsługi

• Użyj czystego roztworu: Nie jest wymagane rozcieńczanie.

• Utrzymuj ustawioną temperaturę: Po zanurzeniu płytek w roztworze do usuwania.

• Dostosuj czas w oparciu o grubość fotomaski/stopień karbonizacji.