Mild Acid Hardened Photoresist Stripper

a) Kakayahang Pag-alis ng Broad-Spectrum photoresist

• Naaangkop sa Parehong Positibo at Negatibong Photoresist‌: Nagpapakita ng partikular na kadalubhasaan sa paghawak ng mga matigas na nalalabi pagkatapos ng pag-abo, pagpapagaling, at carbonization.

b) Mild Acid Formula

• pH Value‌: Nasa pagitan ng 3-5, pag-iwas sa kaagnasan sa mga layer ng metal gaya ng Al, Cu, Ti, at compound semiconductors tulad ng GaAs.

c) Pangkalikasan at Ligtas

• Halogen-Free at Fluorine-Free‌: Sumusunod sa mga regulasyon sa kapaligiran gaya ng RoHS at REACH.

• Mababang Volatility at Mababang VOC‌: Hindi nakakalason at hindi nasusunog, binabawasan ang mga panganib sa lugar ng trabaho at pinangangalagaan ang kalusugan ng operator.

d) Kahusayan ng Proseso

• Malawak na Temperatura Applicability (25°C–90°C): Low-temp stable para sa MEMS/advanced na packaging, high-temp resistant para sa EUV.

• Efficient Penetration‌: Nagpapakita ng mahusay na solubility para sa highly crosslinked photoresists (hal, SU-8) at carbonized negative photoresists.

• Pinasimpleng Proseso‌: Isang solong produkto na may kakayahang magkatugma sa dalawahang photoresist, binabawasan ang oras ng paglipat ng linya ng produksyon, pag-iwas sa cross-contamination, at pagpapahaba ng habang-buhay ng kagamitan.

a) Silicon-Based Chips

Tugma sa Si/SiO₂/SiN, pinoprotektahan ang mga layer ng interconnection ng Cu/Al.

b) Mga GaAs/GaN Device

Pinipigilan ng mild acid formula ang kaagnasan ng Au/Ti electrodes.

c) Power Semiconductor‌

Mahusay na nag-aalis ng SiC na may mataas na temperatura na carbonized photoresist, na nagpoprotekta sa mga layer ng Al.

d) Advanced na Packaging

Sabay-sabay na nililinis ang TSV residue at PI passivation layers.

e) Mga Sensor ng MEMS

Tinatanggal ang malalim na silicon etch residue nang hindi nabubulok ang mga Au pad.

f) Flexible Electronics

Tugma sa mga substrate ng PI/PET nang hindi nakakasira ng mga nano-silver wire.

a) Naaangkop na Paraan ng Paglilinis

• Inirerekomenda: Mainit na pagbababad

• Kasama sa iba pang paraan ang ultrasonic, pag-spray, at pagsipilyo.

b) Temperatura at Oras

• Saklaw ng Temperatura‌: 25°C – 90°C (pinabilis ng pag-init ang paglilinis).

• Karaniwang Paglilinis: 3 – 15 minuto bawat tangke (gamit ang malinis na solusyon).

• Stubborn Residue‌: Maaaring pahabain ng hanggang 30 minuto.

c) Mga Pangunahing Tagubilin sa Pagpapatakbo

• Gumamit ng Neat Solution‌: Walang kinakailangang pagbabanto.

• Panatilihin ang Itakdang Temperatura‌: Pagkatapos isawsaw ang mga wafer sa stripping solution.

• Ayusin ang Oras Batay sa Photoresist Thickness/Carbonization Degree‌.