| Tình trạng sẵn có: | |
|---|---|
| Số lượng: | |
SPC-201A
Nguyên An
SPC-201A là chất làm sạch sơ bộ có tính kiềm yếu gốc nước, chuyên dụng, được thiết kế dành cho các tấm năng lượng mặt trời siêu mỏng và khổ lớn tiên tiến trong quy trình Cưa dây kim cương (DWS) hiện đại. Được pha chế với hệ thống kiềm nhẹ và công nghệ phân tán tiên tiến, nó loại bỏ hiệu quả các chất kết dính liên kết phôi còn sót lại và chất làm mát đậm đặc mà không ăn mòn quá mức các chất nền mỏng manh. Bằng cách loại bỏ 99% chất gây ô nhiễm hữu cơ nặng ở giai đoạn làm sạch trước, SPC-201A ngăn chặn tình trạng tắc nghẽn vòi phun nghiêm trọng trong dây chuyền sản xuất khối lượng lớn và cung cấp nền tảng nguyên sơ cho các quy trình làm sạch và tạo kết cấu mịn tiếp theo.
Được hỗ trợ bởi hệ thống chất hoạt động bề mặt tiên tiến, nó nhanh chóng hòa tan các chất kết dính liên kết phôi cứng đầu và phá vỡ chất lỏng làm mát có độ nhớt cao được sử dụng trong quá trình cắt DWS tốc độ cao, cho phép năng suất sản xuất cao hơn.
Hiệu quả đình chỉ bột silicon để ngăn chặn sự lắng đọng và tái lắng đọng. Điều này giúp loại bỏ hoàn toàn tình trạng tắc nghẽn vòi phun, giảm tần suất bảo trì ngoài kế hoạch tới 30%.
Công thức không ăn mòn, không chứa fluoride bảo vệ bể thép không gỉ và đường ống bên trong, kéo dài tuổi thọ của các công cụ làm sạch tự động đồng thời đơn giản hóa đáng kể quá trình xử lý trước nước thải.
Duy trì hiệu suất làm sạch ổn định để kéo dài thời gian sử dụng bồn tắm từ 15-25 ngày. Với việc bổ sung định kỳ chỉ 0,5%-1,0% dung dịch gốc, nó làm giảm đáng kể mức tiêu thụ hóa chất và tổng chi phí sở hữu (TCO).
Công thức nhẹ nhàng, có kiểm soát giúp ngăn ngừa các vết nứt nhỏ và hư hỏng bề mặt trên các chất nền siêu mỏng, dễ vỡ (<150μm) trong quá trình làm sạch công suất cao các tấm pin mặt trời khổ lớn.
Thông số cơ bản |
|
Mẫu sản phẩm |
SPC-201A |
Vẻ bề ngoài |
Chất lỏng trong suốt |
pH (Dung dịch làm việc) |
9,3 – 9,7 |
Tỷ lệ pha loãng |
1:10 – 1:15 (nồng độ 6% – 10%) |
Điểm chớp cháy |
Không cháy |
Thông số hiệu suất |
|
Chất nền áp dụng |
Tấm PV đơn tinh thể/đa tinh thể |
Thông số kỹ thuật wafer |
Khổ lớn (182/210mm+), Siêu mỏng (<150μm) |
Nhiệt độ hoạt động |
35 – 55oC (Khuyến nghị: 45oC) |
Thời gian dọn dẹp |
4 – 8 phút |
Chu kỳ thay thế bồn tắm |
15 – 25 ngày (sản xuất liên tục) |
Bổ sung tuân thủ |
Công thức không chứa fluoride, không ăn mòn |
SPC-201A có thể được sử dụng độc lập cho các quy trình không yêu cầu hệ thống làm sạch hai bước hoàn chỉnh.
Làm sạch thô sau khi cắt lát wafer PV: Loại bỏ các chất ô nhiễm hữu cơ nặng và bột silicon số lượng lớn khỏi các tấm bán dẫn đã cắt, lý tưởng cho những khách hàng sử dụng hóa chất làm sạch mịn của bên thứ ba hoặc có yêu cầu chất lượng bề mặt thấp hơn.
Tái chế tấm wafer PV đã qua sử dụng: Loại bỏ các lớp phủ còn sót lại và chất gây ô nhiễm khỏi các tấm năng lượng mặt trời hết tuổi thọ một cách hiệu quả về mặt chi phí, cải thiện hiệu quả tái chế và giảm lãng phí vật liệu.
Làm sạch trước để kiểm tra wafer: Chuẩn bị bề mặt wafer để kiểm tra trực quan và điện bằng cách loại bỏ các mảnh vụn trên bề mặt, đảm bảo phát hiện khuyết tật chính xác.
Được khuyên dùng làm bước làm sạch sơ bộ trước quá trình tạo kết cấu.
Hệ thống làm sạch tấm wafer PV hai bước tiêu chuẩn: Khi tiếp theo là SPC-201B Weak Acid Fine Cleaner, mang lại khả năng loại bỏ hoàn toàn chất gây ô nhiễm và chuẩn bị bề mặt tối ưu cho kết cấu, mang lại hiệu suất chuyển đổi pin mặt trời cao hơn 0,3-0,5%.
Tỷ lệ pha loãng: 1:10 – 1:15 (nồng độ khoảng 6% – 10%)
Nhiệt độ hoạt động: 35 – 55oC (Khuyến nghị: 45oC)
Phương pháp làm sạch: Siêu âm / Xịt / Ngâm
Thời gian làm sạch: 4 – 8 phút
Rửa sạch: Rửa tràn bằng nước DI loại 2 trở lên
Sấy: Sấy quay hoặc sấy ở nhiệt độ thấp (<80oC)
Lưu ý khi sử dụng độc lập: SPC-201A phù hợp để làm sạch thô và làm sạch trước kiểm tra. Để chuẩn bị tạo kết cấu, chúng tôi khuyên bạn nên thực hiện theo bước làm sạch kỹ lưỡng để loại bỏ vết kim loại còn sót lại.
Câu hỏi 1: SPC-201A loại bỏ những chất gây ô nhiễm nào?
Trả lời 1: SPC-201A được chế tạo đặc biệt để loại bỏ các chất gây ô nhiễm nặng khi cắt bao gồm chất kết dính liên kết phôi, chất làm mát dây kim cương, dầu gia công và các hạt bột silicon số lượng lớn.
Câu hỏi 2: SPC-201A có an toàn cho các tấm quang điện mỏng 182mm/210mm trở lên không?
Câu trả lời 2: Có, công thức không ăn mòn nhẹ của nó giúp ngăn chặn hiện tượng sứt mẻ và vỡ cạnh của các tấm silicon quang điện đơn tinh thể và đa tinh thể mỏng 130-180μm.
Câu 3: SPC-201A có thể được sử dụng một mình không?
Câu trả lời 3: Có, SPC-201A có thể được sử dụng một mình để làm sạch thô, tái chế wafer và làm sạch trước kiểm tra. Để có kết quả tạo họa tiết tối ưu, chúng tôi khuyên bạn nên thực hiện theo bước làm sạch kỹ.
Câu hỏi 4: Tỷ lệ pha loãng và nhiệt độ vận hành được khuyến nghị là bao nhiêu?
Câu trả lời 4: Tỷ lệ pha loãng được khuyến nghị là 1:10–1:15 và nhiệt độ hoạt động tối ưu là 35–55oC (khuyến nghị 45oC để có kết quả tốt nhất).
Câu hỏi 5: SPC-201A có thể được sử dụng trong các dây chuyền sản xuất khối lượng lớn ở Đông Nam Á không?
Câu trả lời 5: Có, công thức ít tạo bọt và độ ổn định lâu dài khiến nó trở nên lý tưởng cho các dây chuyền sản xuất tự động hóa khối lượng lớn liên tục.
Q6: Bồn tắm SPC-201A kéo dài bao lâu?
Câu trả lời 6: Trong điều kiện sản xuất liên tục, quá trình xử lý thường kéo dài 15–25 ngày. Việc bổ sung định kỳ dung dịch gốc 0,5%–1,0% cứ sau 8 giờ sẽ duy trì hiệu suất tối ưu.
nội dung trống rỗng!