| ရရှိနိုင်မှု- | |
|---|---|
| ပမာဏ- | |
SPC-201A
ယွမ်
SPC-201A သည် ခေတ်မီ Diamond Wire Sawing (DWS) လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အဆင့်မြင့် ကြီးမားသောပုံစံနှင့် အလွန်ပါးလွှာသော ဆိုလာဝေဖာများအတွက် တီထွင်ထားသည့် အထူးပြု၊ ရေအခြေခံ အားနည်းသော အယ်လ်ကာလိုင်း အကြိုသန့်စင်သည့် စက်ဖြစ်သည်။ အပျော့စား အယ်ကာလိုင်းစနစ်နှင့် အဆင့်မြင့် ပြန့်ကျဲနေသော နည်းပညာဖြင့် ဖော်စပ်ထားသောကြောင့် ကျန်ရှိသော အညစ်အကြေးများနှင့် ပေါင်းစပ်ထားသော အအေးခံပစ္စည်းများကို ထိရောက်စွာ ဖယ်ရှားပေးပါသည်။ သန့်ရှင်းရေးအကြိုအဆင့်တွင် SPC-201A သည် ကြီးမားသောအော်ဂဲနစ်ညစ်ညမ်းမှုများ၏ 99% ကို ဖယ်ရှားခြင်းဖြင့်၊ SPC-201A သည် ပမာဏမြင့်မားသောထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများတွင် ပြင်းထန်သော နော်ဇယ်ပိတ်ဆို့ခြင်းကို ကာကွယ်ပေးပြီး နောက်ဆက်တွဲ ကောင်းမွန်သော သန့်ရှင်းရေးနှင့် အသွေးအရောင်တင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် ပကတိအခြေခံအုတ်မြစ်ကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။
အဆင့်မြင့် surfactant စနစ်ဖြင့် အားသွင်းထားသောကြောင့် ခိုင်မာသော ingot ချည်နှောင်ထားသော ကော်များကို လျင်မြန်စွာ ပျော်ဝင်စေပြီး မြန်နှုန်းမြင့် DWS ဖြတ်တောက်ရာတွင် အသုံးပြုသည့် မြင့်မားသော viscosity အအေးခံအရည်များကို ချေဖျက်ပေးကာ ထုတ်လုပ်မှုပမာဏ မြင့်မားစေသည်။
အနည်ကျခြင်းနှင့် ပြန်လည်နေရာယူခြင်းကို တားဆီးရန် ဆီလီကွန်မှုန့်ကို ထိရောက်စွာ ဆိုင်းငံ့ထားသည်။ ၎င်းသည် နော်ဇယ်ပိတ်ဆို့ခြင်းကို လုံးဝဖယ်ရှားပေးကာ မစီစဉ်ထားသော ထိန်းသိမ်းမှုအကြိမ်ရေကို 30% အထိ လျှော့ချပေးသည်။
ဖလိုရိုက်ကင်းစင်သော ဖော်မြူလာသည် သံမဏိကန်များနှင့် အတွင်းပိုင်းပိုက်များကို အကာအကွယ်ပေးကာ ရေဆိုးကြိုတင်သန့်စင်မှုကို သိသိသာသာ ရိုးရှင်းစေပြီး အလိုအလျောက် သန့်ရှင်းရေးကိရိယာများ၏ ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို သက်တမ်းတိုးစေသည်။
15-25 ရက်ကြာ ရေချိုးသည့်သက်တမ်းအတွက် တသမတ်တည်း သန့်ရှင်းရေးစွမ်းဆောင်မှုကို ထိန်းသိမ်းပေးသည်။ 0.5% မှ 1.0% စတော့ရှယ်ယာဖြေရှင်းချက်သာ ပုံမှန်ဖြည့်စွက်ခြင်းဖြင့်၊ ၎င်းသည် ဓာတုသုံးစွဲမှုနှင့် စုစုပေါင်းပိုင်ဆိုင်မှုကုန်ကျစရိတ် (TCO) ကို သိသိသာသာ လျော့နည်းစေသည်။
အပျော့စား၊ ထိန်းချုပ်ထားသော ဖော်မြူလာသည် သေးငယ်သောအက်ကွဲမှုများနှင့် မျက်နှာပြင်ပျက်စီးလွယ်သော၊ အလွန်ပါးလွှာသော အလွှာများ (<150μm) တွင် ကြီးမားသောပုံစံဆိုလာဝေဖာများကို သန့်ရှင်းရေးလုပ်စဉ်တွင် ကာကွယ်ပေးသည်။
အခြေခံ ကန့်သတ်ချက်များ |
|
ထုတ်ကုန်မော်ဒယ် |
SPC-201A |
အသွင်အပြင် |
အရည်ကြည် |
pH (အလုပ်ဖြေရှင်းချက်) |
၉.၃ – ၉.၇ |
Dilution Ratio |
1:10 – 1:15 (6% – 10% အာရုံစူးစိုက်မှု) |
မီးပွိုင့် |
မီးလောင်လွယ်သော |
စွမ်းဆောင်ရည် ကန့်သတ်ချက်များ |
|
အသုံးချနိုင်သော အလွှာများ |
Monocrystalline/Polycrystalline PV Wafers |
Wafer Specifications |
ကြီးမားသောပုံစံ (182/210mm+)၊ အလွန်ပါးလွှာ (<150μm) |
လည်ပတ်အပူချိန် |
35 – 55 ℃ (အကြံပြုထားသည်: 45 ℃) |
သန့်ရှင်းရေးအချိန် |
၄-၈ မိနစ် |
Bath Replacement Cycle |
15-25 ရက် (အဆက်မပြတ်ထုတ်လုပ်မှု) |
လိုက်နာမှုအားဖြည့် |
ဖလိုရိုက်ကင်းစင်ပြီး၊ အဆိပ်အတောက်မရှိသော ဖော်မြူလာ |
SPC-201A သည် ပြီးပြည့်စုံသော အဆင့်နှစ်ဆင့် သန့်ရှင်းရေးစနစ် မလိုအပ်သော လုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် လွတ်လပ်စွာ အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။
PV Wafer လှီးဖြတ်ပြီးနောက် ကြမ်းတမ်းသော သန့်ရှင်းရေး- ပြင်းထန်သော အော်ဂဲနစ် အညစ်အကြေးများနှင့် ဆီလီကွန်မှုန့်များကို အတုံးလိုက် wafer များမှ ဖယ်ရှားပေးသည်၊၊ ပြင်ပမှ ကောင်းမွန်သော သန့်ရှင်းရေးဓာတုပစ္စည်းများကို အသုံးပြုသော သို့မဟုတ် မျက်နှာပြင် အရည်အသွေး သတ်မှတ်ချက်များ နိမ့်ကျသော ဖောက်သည်များအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။
အသုံးပြုထားသော PV Wafer Recycling- သက်တမ်းကုန်ဆုံးသွားသော ဆိုလာဝေဖာများမှ အကြွင်းအကျန်များနှင့် အညစ်အကြေးများကို ကုန်ကျစရိတ်-ထိရောက်စွာ ဖယ်ရှားပေးကာ ပြန်လည်အသုံးပြုနိုင်သည့် ထိရောက်မှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေပြီး စွန့်ပစ်ပစ္စည်းများကို လျှော့ချပေးသည်။
Wafer စစ်ဆေးခြင်းအတွက် ကြိုတင်သန့်ရှင်းခြင်း- မျက်နှာပြင်အပျက်အစီးများကို ဖယ်ရှားခြင်းဖြင့် အမြင်အာရုံနှင့် လျှပ်စစ်စစ်ဆေးခြင်းအတွက် wafer မျက်နှာပြင်များကို ပြင်ဆင်ပြီး တိကျသောချို့ယွင်းချက်ရှာဖွေတွေ့ရှိမှုကို သေချာစေသည်။
အသားအရောင်မညီခင် ပင်မသန့်ရှင်းမှုအဆင့်အဖြစ် အကြံပြုထားသည်။
Standard Two-Step PV Wafer Cleaning System- SPC-201B Weak Acid Fine Cleaner ၏နောက်တွင်၊ ညစ်ညမ်းမှုများကို အပြီးအပြတ်ဖယ်ရှားခြင်းနှင့် အထူအပါးပြုလုပ်ခြင်းအတွက် အကောင်းဆုံးသော မျက်နှာပြင်ပြင်ဆင်မှုကို ပေးစွမ်းပြီး 0.3-0.5% ပိုမိုမြင့်မားသော ဆိုလာဆဲလ်ပြောင်းလဲခြင်း ထိရောက်မှုကို ရရှိစေသည်။
Dilution Ratio: 1:10 – 1:15 (ခန့်မှန်းခြေ 6% – 10% အာရုံစူးစိုက်မှု)
လည်ပတ်အပူချိန် : 35 – 55 ℃ (အကြံပြုထားသည် : 45 ℃ )
သန့်ရှင်းရေးနည်းလမ်း- Ultrasonic / Spray / နှစ်မြှုပ်ခြင်း။
သန့်ရှင်းရေးအချိန်- 4-8 မိနစ်
ဆေးကြောခြင်း- အဆင့် 2 သို့မဟုတ် DI ရေအထက်တွင် လျှံနေသောဆေးဖြင့် ဆေးပါ။
အခြောက်ခံခြင်း- လှည့်ပတ်အခြောက်ခံခြင်း သို့မဟုတ် အပူချိန်နိမ့် အခြောက်ခံခြင်း (<80 ℃)
သီးသန့်အသုံးပြုမှုအတွက် မှတ်ချက်- SPC-201A သည် ကြမ်းတမ်းသောသန့်ရှင်းရေးနှင့် စစ်ဆေးခြင်းအကြိုသန့်ရှင်းရေးအတွက် သင့်လျော်သည်။ အကြမ်းထည်ပြင်ဆင်မှုအတွက်၊ ကျန်နေသောသတ္တုများကိုဖယ်ရှားရန်အတွက် ကောင်းမွန်သောသန့်ရှင်းရေးအဆင့်ဖြင့် လိုက်နာဆောင်ရွက်ရန် အကြံပြုအပ်ပါသည်။
Q1- SPC-201A သည် မည်သည့်ညစ်ညမ်းမှုများကို ဖယ်ရှားသနည်း။
A1- SPC-201A သည် Ingot ချည်နှောင်ထားသောကော်များ၊ စိန်ဝိုင်ယာအအေးခံများ၊ စက်သုံးဆီများနှင့် ဆီလီကွန်အမှုန့်အမြောက်အများ အပါအဝင် လေးလံသောအပိုင်းများကို ဖယ်ရှားရန် အထူးဖော်စပ်ထားသည်။
Q2- SPC-201A သည် 182mm/210mm နှင့် ပါးလွှာသော PV wafer များထက် လုံခြုံပါသလား။
A2- ဟုတ်ကဲ့၊ ၎င်း၏ပျော့ပျောင်းသောအဆိပ်မရှိသောဖော်မြူလာသည် အစွန်းအထင်းများနှင့် 130-180μm ပါးလွှာသော monocrystalline နှင့် polycrystalline photovoltaic silicon wafers များ၏ကွဲအက်ခြင်းကို ကာကွယ်ပေးပါသည်။
Q3- SPC-201A တစ်ခုတည်းကို သုံးလို့ရပါသလား။
A3- ဟုတ်ကဲ့၊ SPC-201A ကို ကြမ်းကြမ်းတမ်းတမ်း သန့်ရှင်းရေး၊ wafer ပြန်လည်အသုံးပြုခြင်းနှင့် စစ်ဆေးခြင်း အကြိုသန့်ရှင်းရေးအတွက် တစ်ဦးတည်း အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။ အကောင်းမွန်ဆုံးသော အသားအရောင်ရလာဒ်များရရှိရန်အတွက် သန့်စင်သောအဆင့်ဖြင့် လိုက်နာရန် အကြံပြုအပ်ပါသည်။
Q4- အကြံပြုထားသော ပျော့ပျောင်းမှုအချိုးနှင့် လည်ပတ်မှုအပူချိန်က အဘယ်နည်း။
A4- အကြံပြုထားသော ဖျော့ဖျော့အချိုးသည် 1:10–1:15 ဖြစ်ပြီး အကောင်းဆုံးလည်ပတ်မှုအပူချိန်မှာ 35–55 ℃ (အကောင်းဆုံးရလဒ်များအတွက် 45 ℃ အကြံပြုထားသည်)။
Q5- SPC-201A ကို အရှေ့တောင်အာရှရှိ ပမာဏမြင့်ထုတ်လုပ်ရေးလိုင်းများတွင် အသုံးပြုနိုင်မည်လား။
A5: ဟုတ်တယ်၊ သူ့ရဲ့ အမြှုပ်နည်းတဲ့ ဖော်မြူလာနဲ့ ရေချိုးတာကြာကြာ တည်ငြိမ်မှုက ဆက်တိုက် ပမာဏမြင့်တဲ့ အလိုအလျောက် ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းတွေအတွက် စံပြဖြစ်စေတယ်။
Q6- SPC-201A ရေချိုးခြင်းသည် မည်မျှကြာကြာခံသနည်း။
A6- စဉ်ဆက်မပြတ်ထုတ်လုပ်မှုအခြေအနေအောက်တွင်၊ ရေချိုးခြင်းသည် ပုံမှန်အားဖြင့် 15-25 ရက်ကြာသည်။ 8 နာရီတိုင်း စတော့ရှယ်ယာဖြေရှင်းချက် 0.5% မှ 1.0% ၏ ပုံမှန်ဖြည့်တင်းမှုသည် အကောင်းဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိန်းသိမ်းထားသည်။
အကြောင်းအရာသည် ဗလာဖြစ်သည်။