| Tilgængelighed: | |
|---|---|
| Mængde: | |
SPC-201A
Yuanan
SPC-201A er en specialiseret, vandbaseret svag alkalisk forrenser, der er udviklet til avancerede storformat og ultratynde solwafere i moderne diamanttrådsavning (DWS) processer. Formuleret med et mildt alkalisk system og avanceret dispersionsteknologi fjerner den effektivt resterende blokeringslim og koncentrerede kølemidler uden at overætse de skrøbelige substrater. Ved at fjerne 99 % af tunge organiske forurenende stoffer i før-rengøringsstadiet forhindrer SPC-201A alvorlig dysetilstopning i højvolumen produktionslinjer og giver et uberørt grundlag for efterfølgende finrensnings- og tekstureringsprocesser.
Drevet af et avanceret overfladeaktivt system, opløser den hurtigt genstridige barrebindende klæbemidler og nedbryder de højviskose kølevæsker, der bruges til højhastigheds-DWS-skæring, hvilket muliggør højere produktionsgennemstrømning.
Suspensionerer effektivt siliciumpulver for at forhindre sedimentering og genaflejring. Dette eliminerer fuldstændig dyseblokering, hvilket reducerer uplanlagt vedligeholdelsesfrekvens med op til 30 %.
Den ikke-ætsende, fluoridfri formulering beskytter rustfri ståltanke og indvendige rør, forlænger levetiden for automatiserede rengøringsværktøjer, samtidig med at forbehandlingen af spildevand væsentligt forenkles.
Opretholder ensartet rengøringsevne for en forlænget badlevetid på 15-25 dage. Med rutinemæssig genopfyldning af kun 0,5%-1,0% stamopløsning, sænker det kemisk forbrug og de samlede ejeromkostninger (TCO) drastisk.
Den milde, kontrollerede formulering forhindrer mikrorevner og overfladeskader på skrøbelige, ultratynde substrater (<150 μm) under højgennemstrømningsrengøring af solwafere i storformat.
Grundlæggende parametre |
|
Produkt model |
SPC-201A |
Udseende |
Klar væske |
pH (arbejdsopløsning) |
9,3 – 9,7 |
Fortyndingsforhold |
1:10 – 1:15 (6 % – 10 % koncentration) |
Flammepunkt |
Ikke brændbar |
Præstationsparametre |
|
Anvendelige underlag |
Monokrystallinske/polykrystallinske PV-wafere |
Wafer specifikationer |
Stort format (182/210 mm+), ultratynd (<150 μm) |
Driftstemperatur |
35 – 55 ℃ (Anbefalet: 45 ℃) |
Rengøringstid |
4 – 8 minutter |
Udskiftningscyklus for bad |
15 – 25 dage (kontinuerlig produktion) |
Overholdelsestillæg |
Fluor-fri, ikke-ætsende formulering |
SPC-201A kan bruges uafhængigt til processer, der ikke kræver et komplet to-trins rengøringssystem.
PV Wafer Post-Slicing Grov rengøring: Fjerner tunge organiske kontaminanter og bulk siliciumpulver fra as-cut wafers, ideel til kunder, der bruger tredjeparts fine rengøringskemikalier eller har lavere krav til overfladekvalitet.
Genbrug af brugte PV-wafers: Fjerner omkostningseffektivt resterende belægninger og forurenende stoffer fra udtjente solwafers, hvilket forbedrer genbrugseffektiviteten og reducerer materialespild.
Forrensning til wafer-inspektion: Forbereder wafer-overflader til visuel og elektrisk inspektion ved at fjerne overfladerester, hvilket sikrer nøjagtig defektdetektering.
Anbefales som det primære forrengøringstrin før tekstureringsprocessen.
Standard to-trins PV-wafer-rengøringssystem: Når det efterfølges af SPC-201B Weak Acid Fine Cleaner, leverer det fuldstændig forureningsfjernelse og optimal overfladeforberedelse til teksturering, hvilket resulterer i 0,3-0,5 % højere solcellekonverteringseffektivitet.
Fortyndingsforhold: 1:10 – 1:15 (ca. 6 % – 10 % koncentration)
Driftstemperatur: 35 – 55 ℃ (anbefalet: 45 ℃)
Rengøringsmetode: Ultralyd / Spray / Nedsænkning
Rengøringstid: 4 – 8 minutter
Skylning: Overløbsskylning med grad 2 eller derover DI-vand
Tørring: Centrifugering eller tørring ved lav temperatur (< 80 ℃)
Bemærkning til selvstændig brug: SPC-201A er velegnet til grovrengøring og inspektionsforrensning. Til teksturering anbefaler vi at følge et fint rengøringstrin for at fjerne rester af spormetaller.
Q1: Hvilke forurenende stoffer fjerner SPC-201A?
A1: SPC-201A er specifikt formuleret til at fjerne tunge udskæringsforurenende stoffer, herunder ingot-bindende klæbemidler, diamanttrådskølemidler, bearbejdningsolier og bulk siliciumpulverpartikler.
Spørgsmål 2: Er SPC-201A sikker til 182 mm/210 mm og derover tynde PV-wafere?
A2: Ja, dens milde ikke-ætsende formel forhindrer kantafhugning og brud på 130-180μm tynde monokrystallinske og polykrystallinske fotovoltaiske siliciumskiver.
Q3: Kan SPC-201A bruges alene?
A3: Ja, SPC-201A kan bruges alene til grovrengøring, wafergenbrug og inspektionsforrensning. For at opnå optimale tekstureringsresultater anbefaler vi at følge et fint rengøringstrin.
Q4: Hvad er det anbefalede fortyndingsforhold og driftstemperatur?
A4: Det anbefalede fortyndingsforhold er 1:10-1:15, og den optimale driftstemperatur er 35-55 ℃ (45 ℃ anbefales for de bedste resultater).
Q5: Kan SPC-201A bruges i højvolumen produktionslinjer i Sydøstasien?
A5: Ja, dens lavtskummende formulering og lange badstabilitet gør den ideel til kontinuerlige højvolumen automatiserede produktionslinjer.
Q6: Hvor længe holder SPC-201A-badet?
A6: Under kontinuerlige produktionsforhold varer badet typisk 15-25 dage. Rutinemæssig genopfyldning af 0,5 %-1,0 % stamopløsning hver 8. time opretholder optimal ydeevne.
indholdet er tomt!