| Наявність: | |
|---|---|
| кількість: | |
РГ-16
WG-16 High-Efficiency Silicon Wafer Cleaning Agent , однокомпонентний розчин, розроблений шляхом змішування сполук на основі калію, передових комплексоутворювачів і спеціальних поверхнево-активних речовин, чудово підходить для точного очищення кремнієвих підкладок і поверхонь, забруднених залишками іонів металів. Його унікальна формула проникає в мікропори, розчиняючи стійкі олії, водночас хелатуючи іони металів (наприклад, міді, , заліза ) на молекулярному рівні, усуваючи забруднення, які можуть поставити під загрозу продуктивність напівпровідника. Окрім ефективності очищення, він відповідає суворим стандартам екологічного регулювання з низьким вмістом летких органічних сполук і компонентами, що біологічно розкладаються, що відповідає протоколам екологічного виробництва. Ідеально підходить для напівпровідникових фабрик і виробництва високоточної електроніки, він захищає цілісність процесу, забезпечуючи чистоту підкладки, безпосередньо підвищуючи надійність наступних продуктів.
Виняткова ефективність очищення : WG-16 демонструє видатну здатність очищати кремнієві матеріали. Він забезпечує 99% очищення масляних плям і понад 99% видалення, утворення комплексів і очищення іонів металів, таких як мідь і залізо.
Екологічність : цей продукт не містить фосфору та не містить іонів металів, таких як кальцій, магній, залізо, мідь і свинець. Він відповідає вимогам ЄС ROHS, що робить його екологічним вибором.
Висока концентрація та низька піноутворюваність : як однокомпонентний продукт високої концентрації, він забезпечує сильну очищувальну дію за невеликої дози. Крім того, це продукт з низьким вмістом піни, що робить його дуже придатним для використання в обладнанні для ультразвукового очищення.
Покращена ефективність фотоелектричного перетворення : Вміст іонів металів, крім іонів калію та натрію, у WG-16 не перевищує 50 ppm. При використанні для очищення кремнієвих пластин він може значно підвищити ефективність фотоелектричного перетворення пластин.
Параметр |
Деталь |
Зовнішній вигляд |
Безбарвна рідина |
Питома вага |
1,00 ± 0,05 |
Значення pH |
8 - 10 |
Вільна лужність |
30 - 50 |
Виробництво напівпровідників : WG-16 може ефективно видаляти іони металів і масляні плями на кремнієвих пластинах, забезпечуючи якість напівпровідникових пристроїв. Він використовується в таких процесах, як очищення пластин перед травленням і після хімічного механічного полірування для підвищення продуктивності та продуктивності напівпровідникових виробів.
Фотоелектрична промисловість : WG-16 може ретельно очищати кремнієві пластини, зменшуючи вплив домішок на продуктивність сонячних елементів, тим самим підвищуючи загальну ефективність виробництва електроенергії фотоелектричними модулями.
Інструкція з експлуатації
· Схема змішування миючого засобу: у першому резервуарі відрегулюйте відповідно до конкретних вимог процесу. Для очищення другого бака використовуйте проточну чисту воду. У третій і четвертий резервуари додайте 4-6 кг засобу для чищення кремнієвих пластин WG-16 і встановіть автоматичну безперервну лінію додавання на 1-2 кг. Використовуйте проточну чисту воду для очищення всіх наступних резервуарів (зазвичай 3 - 4 водопромивні резервуари).
· Контроль температури: встановіть температуру третього та четвертого резервуарів на 45 - 65°C.
· Час очищення: Переконайтеся, що час очищення в кожному резервуарі становить не менше 2 хвилин, а бажано 3 - 4 хвилини.
· Цикл заміни очисного засобу: для ручних ліній замінюйте очисний засіб один раз за зміну; для автоматичних ліній замінюйте кожні 1-3 зміни.
Запобіжні заходи
· Під час роботи з продуктом використовуйте відповідне захисне спорядження, таке як рукавички та окуляри, щоб уникнути контакту зі шкірою та очима.
· Зберігайте продукт у прохолодному, сухому місці, подалі від прямих сонячних променів та джерел тепла, щоб забезпечити його стабільність та ефективність.
вміст порожній!